Диамагнитный комплекс

Cтраница 4

В комплексах двухвалентных никеля и палладия с одной и той же электронной конфигурацией центрального атома ( nd8) наблюдается резкое различие геометрической структуры: комплекс [ PdCl4 ] 2 имеет плоскоквадратное строение, a [ NiCl4 ] 2 - - тетраэдрическое. В первом случае конфигурация центрального атома в диамагнитном комплексе dxy, dfz, dxz, d2zi, d i - t / i приводит к тому, что эллипсоидальная d - оболочка вытянута вдоль оси z и минимальным взаимодействие с ней связывающих электронов окажется в том случае, если они будут располагаться в плоскости ху. Таким образом, геометрическая конфигурация палладиевого комплекса определяется сильным взаимодействием электронных пар на связях с вытянутой эллипсоидальной d - оболочкой. [46]

Откачивание NO из образцов приводит к увеличению в спектре компонент ацилалкилнитроксильных радикалов. Это явление, по-видимому, связано с образованием диамагнитных комплексов NO с ацилалкилнитроксильными радикалами. Диалкилнитроксильные радикалы при 298 К таких комплексов не образуют. [47]

Судя по имеющемуся ( правда, относительно небольшому) экспериментальному материалу по соединениям Mov, уголковое строение группы М02 должно осуществляться и при промежуточной стадии окисления металла: в соединениях Osvn, ReVI, Mov, VIV. Во всяком случае, в би - или полиядерных диамагнитных комплексах металлов при указанных валентностях строение группировки М02 ( с концевыми атомами О) должно быть уголковым. [48]

Несмотря на эти недостатки, указанные выше особенности метода делают его ценным пополнением арсенала физико-химических методов анализа при исследовании неорганических соединений. Метод может быть использован для исследования самых разнообразных пара - и диамагнитных комплексов, когда применение оптических или электрохимических методов затруднено или вообще невозможно. [49]

Величина спина иона характеризует его магнитные свойства. Состояние с высоким спином отвечает парамагнитным комплексам, а с низким спином - диамагнитным комплексам. Величина р может быть вычислена на основе квантовомеханической теории. [50]

Взаимодействие гексакарбонилов металлов VI группы с тетраалкил - и тетра-арилдифосфинами и диарсинами в ароматических растворителях и заплавлен-ных трубках приводит к двум рядам биядерных мостиковых комплексов с последовательным удалением карбонильных групп. При 190 образуются комплексы, имеющие один мостик из двух атомов фосфора, а при 250 - диамагнитные комплексы с двумя фосфидными мостиками. [51]

Согласно простой теории, магнитные свойства соединения определяются только величиной lODq и энергией спаривания электронов. Если кристаллическое поле сильное, то энергия спаривания электронов достигает максимальной величины, как, например, для диамагнитного комплекса Fe ( CN) g - Если кристаллическое поле слабое, то спаривания электронов не происходит. В качестве примера укажем комплекс Fe ( H20), в котором имеются четыре неспаренных электрона и который, следовательно, является диамагнитным. Для комплексов центральных ионов переходных элементов второго и третьего рядов можно ожидать, что спаривание электронов будет гораздо более распространенным явлением, поскольку Dq на 50 - 100 % больше, чем для элементов первого ряда, и, следовательно, энергия спаривания спинов становится меньше. Этот эффект частично обусловлен тем, что 4 - и 5с2 - орбитали имеют большую протяженность в пространстве, чем Зй-орбитали. [52]

Распределение электронов иона Со3 по. [53]

Хунда); при этом центральный ион сохраняет высокое значение спина, так что образуется высокоспиновый парамагнитный комплекс. В случае же сильного поля ( высокое значение энергии расщепления) энергетически более выгодным будет размещение максимального числа электронов на с ( е-орбиталях; при этом создается низкоспиновый диамагнитный комплекс. [54]

Распределение электронов иона Со по. [55]

Хунда); при этом центральный ион сохраняет высокое значение спина, так что образуется высокоспиновый парамагнитный комплекс. В случае же сильного поля ( высокое значение энергии расщепления) энергетически более выгодным будет размещение максимального числа электронов на dg - орбиталях; при этом создается низкоспиновый диамагнитный комплекс. [56]

Страницы: 1 2 3 4