Компонент - тензор - эффективная масса
Cтраница 1
Компоненты тензора эффективной массы в максимуме и минимуме отличаются только знаком, по модулю они равны. Другими словами, форма изоэнергетических поверхностей в окрестности максимума и минимума для одной и той же зоны одинакова. [1]
В параболической модели компоненты тензора обратной эффективной массы совпадают при обоих способах ее определения и на зависят от энергии. [2]
В параболической модели компоненты тензора обратной эффективной массы совпадают при обоих способах ее определения и не зависят от энергии. [3]
Аналогично, mft есть компонента тензора эффективной массы вдоль той же оси. [4]
Второй безразмерный множитель связан только с отношением компонент тензора эффективной массы и конфигурацией эллипсоидов энергии в бриллюэновской зоне. Наконец, третий множитель равен омическому току сЕ, умноженному на два малых безразмерных множителя, пропорциональных магнитному полю. [5]
Во многих полупроводниках влияние кристаллической решетки удается описывать, вводя лишь несколько параметров - компонентов тензора обратной эффективной массы, а в остальном рассматривая электроны как свободные. [6]
В случае стационарных кинетических явлений учет анизотропии т сводится просто к тому, что вместо усреднения компонентов тензора эффективной массы в данном случае подлежат усреднению величины пгг / тг, которые входят в выражения для различных кинетических явлений. [7]
Отношения A / AR определены [ Crowell, Sze, 1966 а ] для различных полупроводников с характерными для них компонентами тензора эффективной массы. [9]
При выводе (8.74) допускалось, что координатные оси совпадают с главными осями, так что ( v) h ъ - компоненты векторов вдоль главной оси. Аналогично, mh есть компонента тензора эффективной массы вдоль той же оси. [10]
Заметим, что масса, вычисленная по циклотронной частоте, совпадает с эффективной массой только в случае сферических поверхностей постоянной энергии. Если поверхность постоянной энергии - эллипсоид и компоненты тензора эффективной массы по главным осям эллипсоида тхх, туу, та, то вычисленная по циклотронной частоте эффективная масса ягцикл будет называться циклотронной эффективной массой и задаваться соотношением 1 / / ц1кл cos2 il ( muymzz) cos2 a. [11]
Перейдем теперь к изучению магнитосопротивления в кубическом кристалле типа Si, содержащем в зоне Бриллюэна несколько минимумов энергии, расположенных на главных осях симметрии куба ( см. гл. Поверхности равной энергии имеют вид эллипсоидов вращения, причем осью вращения служит координатная ось, на которой находится соответствующий минимум энергии. Эллипсоид энергии, соответствующий минимуму на оси х, характеризуется следующими значениями компонентов тензора эффективных масс: ml m, m2mamT; компоненты тензора масс для остальных эллипсоидов получаются отсюда путем циклической перестановки. [12]
Магнитное поле, воздействуя на кристалл полупроводника, изменяет его энергетнч. Ото явление лежит в основе явлений диамагнитного ( циклотронного) п парамагнитного резонанса. Исследопапне диамагнитного резонанса в кристалле полупроводника при различных направлениях магнитного поля позволяет определить компоненты тензора эффективной массы и тем самым получить представление о структуре эпергетич. Последуя явленно парамагнитного резонанса в полупроводниках, можно определить - фактор и величину - сдвига, к-рая является мерой сшш-орбпталыюго взаимодействия. Кроме того, методом парамагнитного резонанса можно изучать различные дефекты кристаллич. [13]
 |
Температурная зависи. [14] |
Оказалось, что для образца с рх ж 5 - Ю18 см 3 при 300 К d % g / dP - - 4 - 10 6 эВ / бар, ( du lupo) ldP lO - 1 / бар. Сростом концентрации экстраполированные значения 8g0, а также d8g / dP уменьшаются. Это может быть связано с тем, что в пленках с высокой концентрацией главной причиной изменения кинетических коэффициентов с давлением служит не уменьшение g, а изменение компонент тензора эффективной массы и угла поворота эллипсоидов относительно главных осей кристалла. [15]
Страницы: 1 2