Бескорпусной компонент

Cтраница 2

Транзисторы для гибридных микросхем изготавливают отдельно, поэтому их называют не элементами, а компонентами микросхемы. Их параметры имеют примерно те же значения, что и обычных транзисторов. Защита бескорпусных компонентов от воздействия внешней среды осуществляется с помощью специального влагостойкого покрытия. [16]

Полые влагозащитные оболочки позволяют освободить защищаемые компоненты от механического контакта с оболочкой, что обеспечивает работу в более широком диапазоне температур и исключает химическое взаимодействие оболочки и защищаемого компонента. Полые оболочки, особенно из неорганических материалов, обеспечивают более высокую надежность влагозащиты, но имеют значительные габариты, массу, стоимость. Наиболее эффективно использование полых оболочек для групповой герметизации бескорпусных компонентов в составе блока. [17]

Зависимость пробивного напряжения твердого диэлектрика от температуры и частоты ( тепловой. [18]

В случае повышенных требований к герметичности компонентов, интенсификации те-плоотвода, обеспечения электромагнитного экранирования целесообразно использовать более дорогие металлокерамические, керамические ( покрытые слоем металла) или металлостеклянные оболочки. При этом должны приниматься меры по защите от влаги элементов электрических соединений. Корпус РЭС в этом случае может быть негерметичным. Если в составе РЭС имеются бескорпусные компоненты ( обычно это бортовые РЭС), то изделие выполняется в виде гермоблока. [19]

В зависимости от технологии изготовления различают полупроводниковые, пленочные и гибридные ИС. В полупроводниковой ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводниковой подложки. В пленочной ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов на поверхности диэлектрической подложки. Различают две разновидности пленочных ИС: тонкопленочные, если используются пленки толщиной менее 1 мкм; толстопленочные, если используются пленки толщиной более 1 мкм. В гибридных ИС, кроме элементов, содержатся простые и сложные бескорпусные компоненты ( например, кристаллы полупроводниковых ИС), расположенные на поверхности диэлектрической подложки. [20]

Страницы: 1 2