Интенсивность - отраженный свет
Cтраница 4
Измерение различных уровней в освещенности или, как в нашем специальном случае, различной затемнен-ности оригинала является достаточно сложной задачей, так как требуется определить интенсивность отраженного света. Фоновая освещенность вблизи датчика должна быть как можно меньше, чтобы не влиять на процесс измерений. Для решения поставленной задачи используется специальная модульная конструкция, содержащая источник света и датчик в одном корпусе. Таким образом сконструирован, например, оптический датчик LEGO. Если интенсивность излучения незначительна, то рекомендуемое расстояние до измеряемого объекта составляет 1 мм. Поскольку измеренная интенсивность уменьшается пропорционально квадрату расстояния до оригинала, то изменение этого расстояния существенно сказывается на результатах измерений. При сканировании больших оригиналов нелегко выдерживать колебания датчика по высоте в пределах менее 1 мм. Датчик LEGO больше подходит для дискретных измерений освещенности. [46]
РОВ - оптическая константа, определяемая по формуле R - JV / / i, где / 1 - интенсивность падающего света; / г - интенсивность отраженного света; R - показатель отражения. В практике измеряют относительное значение R, что получают сравнением с эталоном в воздушной ( а) или масляной ( К0) средах. Показатель К увеличивается с ростом степени катагенеза РОВ. [47]
 |
Магнитооптический аффект Керра. а - полярный, б - меридиональный, в - акиаториалъный. j - вектор намагниченности, л - волновой вектор. [48] |
Если плоскость поляризации падающего линейно поляризованного света составляет пек-рый угол с плоскостью падения ( отличный от 0 и 90), то оба эффекта проявляются также в линейных по намагниченности изменениях интенсивности отраженного света. Это обстоятельство определяет фено-менологич. Фарадея аффектом, наблюдающимся при прохождении света через намагниченную среду вдоль направления намагниченности, и позволяет отнести их к продольным магиитооптич. [49]
В едком натре малые содержания мышьяка ( 0 1 - 0 8 мкг в пробе) рекомендуется определять методом [407], включающим выделение мышьяка в виде арсина металлическим цинком в солянокислом растворе, поглощение арсина бромиднортутной бумагой и измерение интенсивности отраженного света образовавшимся окрашенным пятном. Метод пригоден для определения мышьяка в солях щелочных и щелочноземельных металлов. [50]
В скрещенных поляроидах ( в этом случае они располагаются по одну сторону от ячейки) в отсутствие напряжения такая ячейка будет выглядеть темной, если азимут анализатора или поляризатора совпадает с направлением директора на передней границе слоя ЖК - Минимум интенсивности отраженного света будет также наблюдаться при напряжениях на ячейке, соответствующих полной переориентации молекул ЖК в гомеотропное состояние. [51]
Всем знакомо отражение света от поверхности озера или от лобового стекла автомобиля. Интенсивность отраженного света зависит от угла падения и разности показателей преломления двух сред, например воды и воздуха или воздуха и стекла. [52]
Приведенные выше формулы определяют величину поворота плоскости поляризации линейно-поляризованного света при намагничивании образца. Интенсивность отраженного света при этом не изменяется. [53]
Инфракрасный спектр, полученный при непосредственном отражении от поверхности органического вещества, обычно имеет малую интенсивность и плохое качество. Интенсивность отраженного света является сложной функцией угла падения, показателя преломления и коэффициента поглощения. Если среда, граничащая с исследуемой отражающей поверхностью, имеет высокий показатель преломления, то можно наблюдать полное внутреннее отражение, интенсивность которого определяется в основном только коэффициентом поглощения. Используя в качестве оптически более плотных сред полуцилиндры или призмы из таких материалов, как AgCl или KRS-5, можно получить хорошие спектры отражения. [54]
Приведенные выше формулы определяют величину поворота плоскости поляризации линейно-поляризованного света при намагничивании образца. Интенсивность отраженного света при этом не изменяется. [55]
Поскольку в процессе напыления пленки растет ее толщина, интенсивность света, проходящего через пленку, уменьшается, а отраженного увеличивается. Изменение интенсивности отраженного света фиксируется фотоэлементом, на выходе которого стоит чувствительный прибор. Этот метод применяется только для измерения толщины тонких полупрозрачных пленок. Пленки толщиной порядка 600 А и выше почти полностью поглощают свет. По этой причине этот метод для контроля толщины пленочных элементов микросхем практически не применим. [56]
Страницы: 1 2 3 4