Cтраница 2
Технологический процесс изготовления стержней для тензорези. [16] |
Преимуществом создания невыпрямляющих контактов путем испарения и осаждения электродного сплава и последующего или одновременного вплавления является возможность получения очень точно расположенных и ограниченных площадей контактов при использовании масок. [17]
Для получения надежного невыпрямляющего контакта с полупроводником электронного или дырочного типа проводимости целесообразно использовать припои, содержащие соответственно донорные и акцепторные примеси. Вопросы оценки материалов для омических контактов, их механической обработки, очистки поверхности электродов перед сборкой, а также применяемые припои и флюсы рассмотрены в гл. [18]
Включим между невыпрямляющими контактами 6i и б2 источник питания Ez и сопротивление нагрузки так, как это показано на схеме. [19]
Структура реаль - как это обеспечить трудно, то поверх-кого невыпрямляющего кон - ностныи слои полупроводника должен такта с последовательно сое - быть сильно легирован соответствую. [20] |
Однако в реальных невыпрямляющих контактах часто образуются различные промежуточные слои, ухудшающие свойства омических переходов. Поэтому окончательную доработку технологии их изготовления проводят экспериментально. [21]
Эквивалентная схема. [22] |
С); невыпрямляющий контакт с базой образуется вплавленном в Ge олова, к к-рому подпаивается подводящий проводник. Аналогично вплавлепием РЬ легированного Sb в Ge, получают вплавные II. [23]
Обычным методом получения невыпрямляющего контакта является использование системы: металл - п - п или металл - р - р, где под п и р понимается тонкий слой полупроводника с высокой концентрацией легирующих примесей. На границе между двумя полупроводниками одного типа проводимости не возникает обедненного слоя и поэтому нет потенциальных барьеров, высота которых изменялась бы с изменением внешнего напряжения. [24]
Материалом для выполнения невыпрямляющего контакта обычно служит олово или золото с небольшим количеством донорной примеси для контакта с электронным полупроводником или акцепторной - для контакта с дырочным полупроводником. При изготовлении сплавных кремниевых приборов в качестве материала для образования переходов на кремний n - типа используется алюминий. [25]
Для улучшения качества невыпрямляющего контакта производится делегирование пластин фосфором со стороны п-типа. Диффузию фосфора проводят из стекловидного слоя. [26]
Каким требованиям должны удовлетворять невыпрямляющие контакты. [27]
Конструкция германиевого плоскостного диода Д7. [28] |
При пайке важно получить невыпрямляющий контакт. Во-первых, это необходимо для уменьшения падения напряжения при прохождении прямого тока через диод и, во-вторых, для устранения возможности инжекции неосновных носителей контактом кристалл германия - кристаллодержатель. В случае инжекции неосновных носителей в кристалл - типа со стороны этого контакта при приложении к диоду обратного напряжения дырки из-за большой диффузионной длины в германии могут доходить до / 7 - / ггперехо-да, увеличивая обратный ток диода и снижая пробивное напряжение. [29]
Показано, что влияние невыпрямляющего контакта на электрические характеристики полупроводникового диода во всех случаях может быть учтено введением эффективного времени жизни неравновесных носителей вблизи р-п перехода, которое может быть определено экспериментально из частотной зависимости сопротивления потерь или рассчитано теоретически. [30]