Невыпрямляющий контакт
Cтраница 3
Палладий применяется для создания невыпрямляющих контактов на полупроводниках. [31]
Палладий используют для создания невыпрямляющих контактов на полупроводниках. [32]
 |
Электронно-дырочные переходы, полученные методом сплавления ( о, диффузии ( б и эпитаксиального выращивания ( в. [33] |
При производстве германиевых полупроводниковых приборов невыпрямляющий контакт обеспечивается обычно свинцово-оло-вянным припоем. Невыпрямляющие контакты с кремниевыми полупроводниковыми приборами наиболее часто получают с помощью алюминия. [34]
 |
Конструкция мощно - го тиристора.| Конструкция тиристора таблеточного типа, рассчитанного на допустимый анодный ток 300 А. [35] |
Остальные технологические операции ( создание невыпрямляющих контактов, в том числе и управляющего, присоединение электродов и монтаж в корпусе) принципиально ничем не отличаются от аналогичных операций при изготовлении диодов и транзисторов. Управляющий контакт создают в месте выхода базовой области на верхнюю поверхность пластинки ( рис. 5.9) либо в центре пластинки, либо по периферии, либо распределенным по площади. [36]
 |
Технологический процесс изготовления стержней для тензорезисторов. [37] |
Одним из простых методов изготовления невыпрямляющих контактов к германию служит пайка оловом ( элементом IV группы) с применением раствора хлористого цинка в качестве флюса. [38]
Остальные технологические операции ( создание невыпрямляющих контактов, в том числе и управляющего, присоединение электродов и монтаж в корпусе) принципиально ничем не отличаются от аналогичных операций при изготовлении диодов и транзисторов. [39]
Несмотря на это, теория невыпрямляющих контактов разработана слабее, чем теория p - n - переходов; а создание невыпрямляющих контактов часто основано на эксперименте. [40]
 |
Энергетические диаграммы контакта металл - собственный полупроводник ( а и металл - слаболегированный полупроводник р-слоем ( б. [41] |
Таким образом, для создания хорошего невыпрямляющего контакта металла с полупроводником / 7-типа должно выполняться условие фмФп и с полупроводником л-типа фмфп. [42]
 |
Энергетическая диаграмма контакта металл - дырочный полупроводник. [43] |
Таким образом, для создания хорошего невыпрямляющего контакта металла с полупроводником р-типа должно выполняться условие Фм Фп и с полупроводником и-типа фм фп. [44]
 |
Принципиальные схемы фотодиодов. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5