Невыпрямляющий контакт

Cтраница 4

Электронная и дырочная области снабжены невыпрямляющими контактами, к которым присоединены выводы, необходимые для включения фотодиода в схему. [46]

Высокая поверхностная концентрация упрощает технологию создания невыпрямляющих контактов, так как при этом полупроводник обладает почти металлическими свойствами, что резко снижает сопротивление контакта. [47]

Кривая модуляции проводимости потоком неосновных носителей, изменяющимся по синусоидальному закону. [48]

С увеличением напряжения, приложенного между невыпрямляющими контактами, скорость дрейфа увеличивается и т уменьшается. [49]

Физически это объясняется тем, что на невыпрямляющем контакте идет интенсивный процесс генерации и рекомбинации носителей. Если такой контакт расположен близко ( на расстоянии, меньшем диффузионной длины) от электронно-дырочного перехода, то при обратных напряжениях генерируемые на контакте носители доходят до перехода, увеличивая его ток. При прямых напряжениях такой контакт как бы поглощает все подошедшие к нему неосновные носители заряда, тем самым приводя к увеличению градиента концентрации носителей и росту диффузионного тока. [50]

Единичный элемент объема. [51]

Внешняя цепь к диоду с р-ге-переходом подключена через невыпрямляющие контакты. [52]

Гальванические покрытия во многом определяют качество и надежность невыпрямляющих контактов и процент выхода на сборочных операциях. [53]

Напротив, при пропускании тока через образец с невыпрямляющими контактами, что связано с поступлением в образец основных носителей, их общая концентрация в нем не возрастает. Это связано с тем, что для осуществления нейтральности из образца выходит столько же основных носителей, сколько вошло. Таким образом, в противоположность инъекции неосновных носителей введение в образец основных не может привести к повышению проводимости в нем. [54]

Если считать, что скорость удаления неосновных носителей через невыпрямляющие контакты весьма мала и ею можно пренебречь, то скорость исчезновения этих носителей будет целиком определяться скоростью рекомбинации. Предположим теперь, что коэффициент рекомбинации равен нулю, и к контакту приложено прямое напряжение. В этом случае концентрация неосновных носителей в обеих областях перехода должна непрерывно возрастать. Естественно, что такое увеличение концентраций сверх их равновесных значений приводит к появлению встречного потока носителей, соответствующего по направлению обратному току перехода. [55]

В каком случае может происходить накопление неосновных носителей заряда вблизи невыпрямляющего контакта металл-полупроводник. [56]

Существенной особенностью полупроводниковых диодов является рекомбинация неравновесных носителей на невыпрямляющем контакте. Физическую природу процессов можно установить при рассмотрении реальной структуры невыпрямляющего контакта, который обычно образуется при вплавлении металла в полупроводник с образованием рекристаллизованного слоя или путем нанесения металла на предварительно высоколегированный или нарушенный поверхностный слой полупроводника. Таким образом, база диода является неоднородной, и вблизи контакта имеет место изменение электрофизических параметров полупроводника от величин, соответствующих объему, до величин, характеризующих полупроводник на границе с металлом. В первом приближении можно считать, что существует область с исходными коэффициентом диффузии Dp, длиной диффузии Lp и временем жизни тр неравновесных носителей и некоторый слой толщиной WK также с постоянными, но существенно меньшими значениями DK, LK, тк тех же параметров. [57]

Распределение концентрации неосновных носителей в база диода с тонкой базой. [58]

В то же время при больших токах нарушается равновесие у невыпрямляющего контакта. База диода при этом заполняется дополнительным количеством электронов и дырок, что приводит к уменьшению ее сопротивления. [59]

В то же время при больших токах нарушается равновесие у невыпрямляющего контакта. Здесь из-за ограничения скорости движения начинает расти концентрация неосновных носителей, соответственно растет и концентрация основных носителей. Таким образом, база диода начинает как бы заполняться электронами и дырками. Это сопровождается снижением ее удельного электрического сопротивления. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5