Концентрация - ловушка
Cтраница 1
Концентрация ловушек позитрония, как следует из неизменности величины / о, не зависит от времени выдержки в исследованном интервале времен. [1]
Концентрации ловушек в электронных и дырочных образцах различны. При изучении монокристаллов га-типа концентрация ловушек менялась в пределах от менее 2 - 108сл - 3, что уже но обнаруживается экспериментально, до примерно 1015 см-3. В отличие от дырочного кремния в электронных образцах не найдено корреляции между сопротивлением и концентрацией ловушек. [2]
Концентрация ловушек в кристаллах n - тииа может быть так велика, что они заметно влияют на темповое сопротивление кристалла. Другими словами, как мы увидим далее, 8-ловушки ведут себя как донорные ( или акцепторные) уровни. [3]
Если концентрация ловушек захвата не мала, то концентрация электронов ( дырок), захваченных ловушками А / г3, составляет значительную часть. Неравенство избыточных концентраций электронов и дырок ведет к неравенству времени жизни неравновесных электронов и дырок. [4]
Обозначим концентрацию ловушек, заполненных электронами, через лл. [5]
Нижняя граница концентрации ловушек, пригодных для стабилизации электронов, может быть оценена из предельной концентрации стабилизированных электронов. Концентрация ловушек может быть оценена также из зависимости выхода стабилизированных электронов от количества акцептора. Эта величина может рассматриваться как верхняя граница концентрации ловушек. Меньшую предельную концентрацию стабилизированных электронов в облученных углеводородах, чем в полярных соединениях, можно объяснить тем, что энергия электростатического взаимодействия электрона с катионом уменьшается с увеличением полярности матрицы. [6]
 |
Вероятность заполнения энергетических уровней в равновесном состоянии ( кривая / и в неравновесном состоянии ( кривая 2, т. е. при освещении фоторезистора. [7] |
С ростом концентрации ре-комбинационных ловушек уменьшается время жизни носителей, что и приводит к сублинейной зависимости световой характеристики. Закономерности возрастания фототока от освещенности у фоторезисторов различные в зависимости от наличия разнообразных примесей и их концентрации. [8]
Предположим, что концентрация ловушек захвата мала. [9]
Хотя в этом образце концентрация объемных ловушек пренебрежимо мала, все же мы нашли, что после нагревания образца в печи появляются некоторые эффекты захвата, которые мы отнесли за счет поверхности. [10]
Здесь Ср - произведение концентрации ловушек на вероятность захвата дырки в единицу времени, усредненное по всем состояниям в валентной зоне; Сп - произведение концентрации ловушек на вероятность захвата электрона, усредненное по всем состояниям в зоне проводимости; п0 и р0 - равновесные концентрации электронов и дырок в данном образце; nl и рг - те же величины для случая, когда уровень Ферми совпадает с уровнем энергии центров рекомбинации. Объемное время жизни у большинства образцов германия в области примесной проводимости экспоненциально возрастает с увеличением температуры. Считается, что эта зависимость обусловлена экспоненциальным изменением концентрации носителей в числителе выражения ( 1), в то время как знаменатель в примесной области является постоянной величиной. Пример такого поведения описан Холлом [1]; то же видно и на фиг. [11]
Константа скорости / С пропорциональна концентрации ловушек, следовательно, согласно последним соотношениям, вероятность повторной встречи или возврата реагентов характерным образом зависит от концентрации ловушек. Этот факт используется для подтверждения правильности изложенной теории. [12]
Для материала с температурой обработки 1690 концентрация ловушек, а следовательно и дырок, велика. Пи-зона в них может оказаться незаполненной настолько, что становится возможной электронная проводимость, а не дырочная, как это имеет место в почти заполненной зоне. [13]
Нестабильность порогового напряжения увеличивается с ростом концентрации ловушек в окисле. Электроннолучевая и плазменная обработки пластин, характерные для технологии СБИС, как правило, увеличивают число ловушек. В связи с этим необходимо создавать структуры с минимальной напряженностью электрического поля у стока. Это достигается использованием плавных р-п переходов [3], формируемых специальными технологическими методами, и понижением концентрации доноров в областях истока и стока. [14]
 |
Зависимость электр опр ов одности политетрафторэтилена ( 1 3 и полистирола ( 2, 4 от температуры без облучения ( - - - - - - - - - и при. [15] |
Страницы: 1 2 3 4