Концентрация - ловушка
Cтраница 3
Из рисунка видно, что дегидратация приводит к существенному уменьшению концентрации ловушек для электронов блд и сдвигу Wl в область больших энергий, т.е. к уменьшению протяженности хвоста A ( Vcox Легирование Si02 ионами титана сопровождается резким ростом концентрации дырочных ловушек бдд и появлением протяженного хвоста вблизи валентной зоны S Ю2; легирование ионами Na приводит к росту отрицательного заряда и появлению протяженного хвоста у зоны проводимости. [31]
С помощью термодеполяризации определяют энергию активации, глубину захвата и концентрацию ловушек с разной глубиной захвата. [32]
Если кристаллы выращивались тем же методом, по без вращения, концентрация ловушек оказывалась примерно на два порядка меньше. Уровни: р-типа чувствительны к термообработке. [33]
Терминология, принятая в таблице, построена таким образом, что концентрация ловушек сравнивается с полной ( равновесной плюс неравновесной) концентрацией носителей тока. Следовательно, например, случай большой концентрации ловушек при высоком уровне возбуждения означает, что именно концентрация ловушек превосходит концентрацию носителей, а не наоборот. [34]
 |
Зависимость постоянной времени обнаруженных объемных состояний от температуры ( транзистор № 13. [35] |
При определенной термообработке кремния обнаруживается изменение удельного сопротивления, времени жизни и концентрации ловушек в материале. [36]
Количество исследований, посвященных изучению этих явлений, невелико, однако значения концентрации ловушек от 1016 до 1020 см-3 можно считать установленными достаточно надежно, а их учет позволяет объяснить резкое уменьшение плотности туннельного тока. [37]
С помощью термодеполяризации определяют энергию актива - ции, глубину захвата и концентрацию ловушек с разной глубиной захвата. [38]
Кружками отмечены значения S, полученные для определения I1) на образце электронного кремния с ничтожно малой концентрацией ловушек; квадратиками указаны точки, полученные с той же целью на дырочных образцах. Температуре активации 2100 К соответствует энергия 0 18 эв. [39]
 |
Оже - рекомСинация, при которой энергия уносится дыркой, которая жа спиново отщепленной валентной зоны и, переносится в зову тяжелых дырок с. с - зова проводимости. [40] |
Изменения концентрации электронов и дырок в зонах и на примесях-ловушках определяется системой ур-ний, в к-рые входят концентрации ловушек, свободных ( Лг) и занятых ( М) электронами ( N - M - полная концентрация ловушек), коэф. [41]
Время жизни неосновных носителей заряда, инжектируемых в кристалл ПП ( т), в сильной степени зависит от концентрации ловушек ( см. Рекомбинация носителей заряда), к-рыми носители захватываются и перестают участвовать в проводимости. При очень высоких уровнях инжокции может наступить насыщение ловушек, вследствие чего т увеличится: соответственно возрастает и электропроводность кристалла. [42]
Время жизни неосновных носителей заряда, инжектируемых в кристалл ПП ( т), в сильной степени зависит от концентрации ловушек ( см. Рекомбинация носителей заряда), к-рыми носители захватываются и перестают участвовать в проводимости. При очень высоких уровнях инжекции может наступить насыщение ловушек, вследствие чего т увеличится: соответственно возрастает и электропроводность кристалла. [43]
Все эти условия необходимы при измерении постоянных времени для однозначности получаемых результатов, так как постоянные времени зависят от концентрации ловушек захвата и от скорости их заполнения и опустошения, что, в свою очередь, изменяется при изменении освещенности, температуры и других условий, в которых работает фоторезистор. Оба эти фактора приводят к уменьшению времени жизни носителей заряда и соответственно к уменьшению постоянных времени фоторезистора. [44]
При глубокой осушке окисной пленки происходит частичное отщепление химически связанной воды, а следовательно, возрастают степень ионизации окисла и концентрация указанных ловушек. [45]
Страницы: 1 2 3 4