Cтраница 2
По известному значению был определен порядок концентрации пл ловушек в полимере. Установлено, что коэффициенты рекомбинации для этих веществ также близки и равны 8 - Ю 7 см3 / с для полиэтилена и 13 - Ю 7 см3 / с для парафина. Все это позволило Мак-Куббину считать, что ловушки электронов в полиэтилене и парафине не могут быть связаны с примесями низкомолекулярных веществ и дефектами строения молекул, а имеют одну природу и связаны с дефектами физической структуры этих веществ. [16]
Недавно [10] было показано, что концентрацию ловушек можно уменьшить, если при выращивании монокристалла не вращать затравку. Мы не можем это объяснить, равно как и не знаем в настоящее время, с чем именно связаны глубокие или мелкие ловушки. [17]
Таким образом, величина шума зависит от концентрации ловушек, на частотная зависимость отсутствует. [18]
В собственных полупроводниках скорость рекомбинации зависит от концентрации ловушек рекомбинации. [19]
На основании этих измерений можно вычислить также концентрацию ловушек, определяющих дрейфовую подвижность, и сечение захвата носителей, которые равны - 10 з см-3 и - 10 - 14 см2 соответственно. [20]
Нужно помнить, что Na и УУ - концентрации ловушек, умноженные на фактор Болъцмана. Истинные концентрации ловушек могут быть намного больше. [21]
![]() |
Зависимость Длст от величины / для германия. [22] |
До сих пор мы всюду предполагали, что концентрация ловушек М столь мала, что в условии нейтральности (22.19) можно не учитывать связанного с ними заряда. [23]
В работах [21, 22] отклонение от линейности формально объяснилось уменьшением концентрации ловушек при увеличении концентрации акцептора. Однако физической модели, позволяющей понять природу такого воздействия акцептора на выход е г, в этих работах предложено не было. [24]
Однако для них имеет место то же соотношение между концентрацией ловушек и вращением кристалла относительно тигля при выращивании, что и н дырочном материале. Подчеркнем, что рассматриваемые здесь ловушки появляются естественно при выращивании монокристаллов в лабораторных условиях. [25]
Время жизни свободных носителей заряда сильно зависит от природы и концентрации ловушек в кристалле. Даже тщательнейшим образом приготовленные кристаллы могут содержать до 1015 см 3 ловушек, т.е. примерно одну миллионную долю. Таким образом, если за время пробега носителя последний встречает Ш6 отдельных кристаллических узлов, то он с большой вероятностью попадает на ловушку. Если предположить, что эти случайные перескоки происходят главным образом в плоскости аб, то, как указывалось в разд. Другими словами, для посещения 106 новых узлов необходимо примерно 2 - Ю7 перескоков. Если носитель в антрацене совершает порядка 1013 перескоков в секунду, то он будет захвачен в течение примерно 10 - 6 с. В действительности время жизни носителя до захвата больше, поскольку не каждая встреча с ловушкой кончается захватом. [27]
Если время нахождения носителя в ловушке захвата велико или велика концентрация ловушек захвата, то эффективное время жизни носителя заряда может оказаться значительно больше действительного времени жизни, так как находящийся в ловушке захвата носитель не может в это время рекомби-нировать. Рекомбинация возможна только после ионизации ловушки захвата или после освобождения носителя заряда. [29]
Если время нахождения носителя в ловушке захвата велико или велика концентрация ловушек захвата, то эффективное время жизни носителя заряда может оказаться значительно больше действительного времени жизни, так как находящийся в ловушке захвата носитель не может в это время рекомбинировать. [30]