Концентрация - носитель - ток
Cтраница 1
Концентрация носителей тока в металлах практически не зависит от воздействия температуры и света; у полупроводников эти факторы оказывают решающее влияние на концентрацию, хотя следует оговориться, что такое заключение но является универсальным. У каждого полупроводника существует такая область температур, в пределах которой концентрация остается постоянной, и воздействие света, даже поглощаемого полупроводником, не всегда сказывается на его электропроводности. [1]
Концентрация носителей тока пропорциональна удельной электропроводности, которая определяется из значения подвижности. [2]
Концентрация носителей тока в плазме очень велика. Поэтому плазма обладает хорошей проводимостью. Подвижность электронов примерно на три порядка больше, чем у ионов, вследствие чего ток в плазме создается в основном электронами. [3]
Концентрация носителей тока в CuCr2Se4 и FeCr2Se4 по сравнению с ZnCrjSej существенно больше, что и вызывает наблюдаемое явление. [4]
Концентрация носителей тока в полупроводниках в очень сильной степени зависит от наличия примесей. При введении в четырехвалентный германий Ge или кремний Si элементов пятой группы периодической системы Д. И. Менделеева ( As, Sb, P и др.) пятый электрон внешней оболочки примесного атома не участвует в образовании ковалентных связей с четырьмя соседними атомами Ge и ведет себя как свободный электрон в поле кристаллической решетки. При введении же элементов третьей группы ( В, Al, Ga, In и др.), которые входят в Ge как примеси замещения, в соответствующем узле решетки для насыщения четырех ковалентных связей нехватает одного электрона. [5]
Концентрация носителей тока для области собственной проводимости ni в невырожденном полупроводнике определяется из выражений [ см. уравнение (4.27), стр. [6]
Ведь концентрация носителей тока п в полупроводниках сильно зависит от температуры, поэтому и R зависит от температуры. Следовательно, название постоянная Холла чисто условное. Эту величину, конечно, правильнее было бы назвать коэффициентом Холла. [7]
 |
Изменение подвижности и. и концентрации носителей тока п в зависимости от температуры iK при одновременной конденсации РЬТе на NaCl ( кривые 2 и 4 и КС1 ( кривые 1. [8] |
Изменение концентрации носителей тока в пленке обусловлено нарушением стехиометрического соотношения компонентов. [9]
Зависимость концентрации носителей тока от энергии их диссоциации е настолько велика, что она обычно однозначно определяет природу тока. Случай смешанной проводимости является скорее исключением из правила. [11]
Изменение концентрации носителей тока в зоне проводимости и в валентной зоне меняет заполнение локальных уровней, а следовательно, и примесную проводимость, источником которой они являются. Соответствующие экспериментальные данные приведены на фиг. [12]
Зависимость концентрации носителей тока от температуры, определенная таким образом, показана на фиг. [13]
Измерения концентрации носителей тока не позволяют выяснить, как зависит энергия ионизации примеси от концентрации ее. Дело в том, что при низких температурах вступает в игру еще новый процесс, накладывающийся на нормальный процесс ионизации примеси. [14]
Рост концентрации носителей тока при плавлении теллуридов цинка и кадмия противоречит представлениям об устойчивой молекулярной структуре. Более вероятным нам кажется образование при плавлении этих соединений жидкости со структурой цепочечного типа А - В - А - В - с образованием носителей тока на концах цепочек. [15]
Страницы: 1 2 3 4