Концентрация - носитель - ток
Cтраница 4
Входящие в это выражение концентрация носителей тока па [ см 3 ] и их подвижность ifj [ см 11 сек-в ] являются характеристиками полупроводника. [46]
 |
Зависимость электропроводности полупроводника. а-от температуры. б - от напряженности электрического поля при различных температурах. в - от освещенности. [47] |
Входящие в это выражение концентрация носителей тока пй [ см 3 ] и их подвижность Wj [ см / сек-в ] являются характеристиками полупроводника. [48]
У примесных полупроводников зависимость концентрации носителей тока от температуры имеет более сложное выражение. [49]
Обсуждаются различные виды отклонения концентраций носителей тока в полупроводниках от равновесных значений. Принимается во внимание соетпв тока на контактах. Рассматриваются четыре типа нарушений, из которых наиболее известна шшекцин но; сителей тока. Экспериментально наблюдались также эксклюзия и экстракция носителей тока, но об их аккумуляции сообщений еще не было. Все явления обсуждаются на основании единой системы уравнений в предположении, что отклонения от равновесия малы по срап-нению с равновесной концентрацией основных носителей тока. [50]
Этот рост вызывается увеличением концентрации носителей тока при неизменном значении их подвижности. [51]
Сильная зависимость коэффициента отражения от концентрации носителей тока вблизи края плазменного отражения позволяет с большой точностью обнаруживать флуктуации концентрации в полупроводниках. [52]
При этом предполагается, что концентрация носителей тока остается равновесной или почти равновесной ( хотя и может меняться от точки к точке при наличии градиента температуры); таким образом, изменения концентрации не сказываются заметно на картине явлений. Поэтому исключены контактные явления, в которых нарушения равновесия концентрации играют существенную роль. [53]
У полупроводников при комнатной температуре концентрация носителей тока на несколько порядков ниже, чем у металлов. Полупроводники, в которых электрический ток переносится эквивалентным количеством электронов и дырок, называют собственными полупроводниками. [54]
При любом типе электропроводности полупроводника концентрация носителей тока в нем значительно меньше, чем в металлах. Но сама эта концентрация, как и энергия носителей тока в полупроводниках, в отличие от металлов, зависит весьма сильно от температуры. При нагревании число носителей тока резко возрастает. [55]
На этой стадии обработки уменьшение концентрации носителей тока компенсируется за счет роста гексагональных сеток. Дальнейшее повышение температуры обработки приводит к резкому возрастанию удельной электропроводности в результате быстрого увеличения размеров углеродных сеток и термической активации электронов в зону проводимости. [56]
Страницы: 1 2 3 4