Концентрация - носитель - ток
Cтраница 2
 |
Температурная зависимость концентрации дефектов при Т. Tf, где Т ( - температура, при которой замораживается равновесие кристалл - пар ( Д const. [16] |
Изменение концентраций носителей тока получается из упрощенного решения. Рассмотрим систему из окиси бария с избытком бария. [17]
Отклонение концентрации носителей тока в полупроводнике от равновесной может быть достигнуто не только в результате ионизации светом или иными излучениями, но и ( в определенных условиях) за счет приложения напряжения к контакту этого полупроводника с другим материалом. [18]
Изменение концентрации носителей тока в приповерхностном слое полупроводника должно приводить к изменению его электропроводности. [19]
Неравенство концентраций носителей тока разного знака в общем случае ( связанное с наличием в объеме кристалла ионизированных доноров и акцепторов) создает специфичные условия для биполярной диффузии носителей тока в полупроводниках. Осложняющими процесс биполярной диффузии в полупроводнике являются также акты захвата носителей на уровне прилипания. [20]
При концентрациях носителей тока более 1018 см-3 ( основных и неосновных) активизируется процесс оже-рекомбинации, характеризующийся передачей потенциальной энергии рекомбинирующей электронно-дырочной пары третьему носителю - свободному электрону или дырке, увеличивающему таким образом свою кинетическую энергию. [21]
C ЭСг концентрация носителей тока в слое повышается и его сопротивление уменьшается. [22]
 |
Зависимость удельной электропроводности т. полупроводника от температуры. [23] |
В полупроводниках концентрация носителей тока колеблется в пределах 10 0 - 1018 ( редко до 1021) в 1 см3, а подвижность-от нескольких единиц до десятков тысяч смг. [24]
Как вычисляется концентрация носителей тока. [25]
В полупроводниках концентрация носителей тока колеблется в пределах 1010 - 1018 ( редко до 1021) в 1 см3, а подвижность - от единицы и менее до десятков тысяч см2 / в-сек. Подвижность электронов в веществе может заметно отличаться от подвижности дырок, и поэтому обычно оказывается, что даже собственные полупроводники обладают отчетливым п - или р-ха-рактером проводимости. [26]
В металлах концентрация носителей тока велика и постоянна, тогда как в полупроводниках она на несколько порядков меньше и величина ее переменчива. Отсюда и вытекает возможность управлять числом носителей тока, а следовательно, электропроводностью и другими свойствами полупроводника. Важнейшим способом такого регулирования является дозировка примесей в кристалле. [27]
Непосредственные оценки концентрации носителей тока показывают, что и при температуре 1000 К она определяется собственной концентрацией. [28]
 |
Температурная зависимость магнитной восприимчивости кремния и германия в твердом и жидком состояниях. [29] |
Скачкообразное увеличение концентрации носителей тока, по мнению А. Р. Ре-геля, может быть связано с разрушением при плавлении пространственной системы жестких sp 3-гибридных связей и переходом в металлоподоб-ное состояние. Таким образом, согласно классификации А. Р. Регеля, кремний и германий плавятся по типу полупроводник - металл. Изменение характера химической связи от ковалентного к металлическому с высокой концентрацией свободных электронов естественно должно быть связано с изменением ближнего порядка при плавлении. [30]
Страницы: 1 2 3 4