Концентрация - неосновной носитель
Cтраница 1
Концентрация неосновных носителей на коллекторном переходе равна нулю. [1]
Концентрация неосновных носителей в примесном полупроводнике уменьшается во столько раз, во сколько увеличивается концентрация основных носителей. Таким образом, если в германии i-типа п ( р, 1013 см 3, а после добавления донорной примеси концентрация электронов возросла в 1000 раз и стала п 1016 см 3, то концентрация неосновных носителей ( дырок) уменьшится в 1000 раз и станет р 1010 см 3, т.е. будет в миллион раз меньше концентрации основных носителей. Это объясняется тем, что при увеличении в 1000 раз концентрации электронов проводимости, полученных от донорных атомов, нижние энергетические уровни зоны проводимости оказываются занятыми и переход электронов из валентной зоны возможен только на более высокие уровни зоны проводимости. Но для такого перехода электроны должны иметь большую энергию, чем в собственном полупроводнике, и поэтому значительно меньшее число электронов может его осуществить. Соответственно значительно уменьшается число дырок проводимости в валентной зоне. [2]
Концентрация неосновных носителей меняется в процессе диффузии, поэтому и емкость, связанная с изменением заряда в - области у перехода, называется диффузионной. [3]
Концентрация неосновных носителей ( дырок) уменьшится в 1000 раз и станет р 0 5 - 1010см - 3, т.е. будет в миллион раз меньше концентрации основных носителей. Это объясняется тем, что при увеличении в 1000 раз концентрации электронов проводимости, полученных от донорных атомов, нижние энергетические уровни зоны проводимости оказываются занятыми и переход электронов из валентной зоны возможен только на более высокие уровни зоны проводимости. Но для такого перехода электроны должны иметь большую энергию, чем в чистом полупроводнике, и поэтому значительно меньшее число электронов может его осуществить. Соответственно значительно уменьшается число дырок проводимости в валентной зоне. [4]
 |
Приложение обратного ( а и прямого ( б напряжений к / 7-я-переходу. [5] |
Концентрация неосновных носителей при этом может существенно возрасти по сравнению с равновесной концентрацией. Такое явление носит название ин-жекции носителей. [6]
Концентрация неосновных носителей на границах обедненных слоев определяется по формуле (3.29) и соответствует значениям, приведенным на рисунке. [7]
 |
Распределение концентраций электронов и дырок в полупроводнике при обратном смещении р-п перехода.| Вольт-амперная характеристика идеального р-п перехода. [8] |
Но концентрации неосновных носителей в п - и р-областях весьма малы. Поэтому обратный ток через переход очень мал. [9]
Поскольку концентрация неосновных носителей значительно больше в базе, чем в коллекторе, обратный ток коллекторного перехода состоит в основном из дырок базы. Ток / ко определяют при разомкнутой цепи эмиттера ( / э 0) и при определенном значении обратного напряжения на коллекторе. Ток / Ко вызывается термогенерацией и с повышением температуры растет по экспоненциальному закону. В германиевых транзисторах / Ко при повышении температуры на каждые 10 приблизительно удваивается, в кремниевых - увеличивается в 2 5 раза. [10]
Поэтому концентрация неосновных носителей вблизи р - re - перехода резко возрастает. Заряд этих избыточных носителей быстро компенсируется притоком основных носителей, концентрация которых увеличивается на ту же величину. Эти избыточные носители растекаются вглубь от р - га-перехода и рекомбинируют там. [11]
Поскольку концентрация неосновных носителей в органических полупроводниках обычно не известна, то расчеты по измеряемым значениям R и в этом смысле требуют известной осторожности. [12]
Поскольку концентрация неосновных носителей значительно больше в базе, чем в коллекторе, обратный ток коллекторного перехода состоит в основном из дырок базы. Ток / А - () определяют при разомкнутой цепи эмиттера и при определенном значении обратного напряжения на коллекторе. Ток 1 к вызывается термогенерацией и с повышением температуры растет по экспоненциальному закону. В германиевых транзисторах IKa при повышении температуры на каждые 10 приблизительно удваивается, в кремниевых - увеличивается в 2 5 раза. [13]
Градиент концентрации неосновных носителей около эмиттера, соответствующий величине инжекцион-ной составляющей тока, растет со временем в связи с уменьшением емкостной составляющей тока эмиттера. [15]
Страницы: 1 2 3 4