Концентрация - неосновной носитель
Cтраница 3
Рассмотрим теперь изменение концентрации неосновных носителей во времени вдоль базовой области. На рис. 10.15 а и в показано рассасывание неосновных носителей соответственно для двух случаев: когда первым восстанавливается коллекторный переход и когда первым восстанавливается эмиттерный переход. Заметим, что граничные условия дважды изменяются на протяжении процесса выключения в каждом из двух основных вариантов. Мы увидим, что при каждом изменении граничных условий постоянная времени также изменяется. [31]
При этом градиенты концентрации неосновных носителей у эмиттера и коллектора равны. [32]
В этих условиях концентрации неосновных носителей тока на границах р-п перехода больше равновесных, значит дырки и электроны будут диффундировать от р-п границы в глубь соответствующих областей. Стационарное распределение дырок и электронов и их градиенты, а следовательно, токи можно легко определить. [33]
Инжектированные носители увеличивают концентрацию неосновных носителей сверх их равновесных значений. Результирующие концентрации носителей называются неравновесными. По мере удаления от границ перехода в глубь п - и р-областей неравновесные концентрации неосновных носителей убывают из-за их рекомбина-ции с основными носителями. При большой протяженно-сти р - и - областей на некотором расстоянии от границ перехода неравновесные концентрации неосновных носителей практически уменьшаются до равновесных ачений. Пунктиром на рис. 1.9 показаны распределе - Х ния электронов и дырок в области объемного заряда - р-п-перехода. [34]
Этот ток зависит от концентрации неосновных носителей в р - и n - областях, но не зависит от приложенного напряжения. Зависимости между входным и выходным током нет, а следовательно, отсутствует и возможность управления выходным током за счет изменения входного. [35]
 |
Схема трехфазного мостового выпрямителя с шунтирующими лавинными вентилями. [36] |
В момент времени tz концентрация неосновных носителей у перехода д становится равной нулю. [37]
 |
Подача рабочих смещений на транзисторы р-п - р и п-р - п.| Распределение токов в транзисторе р-п - р. [38] |
При повышении температуры увеличивается концентрация неосновных носителей и обратный ток коллектора / о может сильно возрастать. [39]
Легко установить закон изменения концентрации неосновных носителей по мере перемещения от р-п перехода. [40]
Только после определенного уменьшения концентраций неосновных носителей в базе транзистор переходит в активный режим, и рабочая точка из положения В перемещается по нагрузочной линии в направлении точки А. [41]
В некоторый момент времени концентрации неосновных носителей в базе около / 7-п-переходов коллектора и эмиттера достигают нуля. С этого момента токи коллектора и эмиттера будут уменьшаться со временем, так как процесс рассасывания неосновных носителей продолжается и уменьшается абсолютное значение градиентов концентрации неосновных носителей около соответствующих р-п-переходов. [42]
Предполагается, что распределение концентрации неосновных носителей в области базы в момент окончания рассасывания и начала спада совпадает с распределением, которое существовало бы, если бы транзистор был смещен статическим образом в соответствующий режим. [43]
Инжекции присущи резкая зависимость концентрации неосновных носителей от напряжения: при повышении напряжения всего лишь на 2 3фт ( 60 мВ при Г 300 К) концентрация возрастает на порядок. [44]
Только после определенного уменьшения концентраций неосновных носителей в базе транзистор переходит в активный режим, и рабочая точка из положения В перемещается по нагрузочной линии в направлении точки А. [45]
Страницы: 1 2 3 4