Cтраница 4
Эксклюзия подавляет собственное возрастание концентрации неосновных носителей тока на интервале около 50 К. Есть, однако, причины, ограничивающие область, в которой эксклюзия эффективна. Другим важным фактором является сама структура эксклюзирующего контакта. Можно ожидать, что эмиссионный ток па входном контакте 7PS будет возрастать с температурой; таким образом, возрастает и - ] гс, и эксклюзия становится менее эффективной. Для исследованных здесь образцов максимум р, наблюдался при температурах, при которых время пролета еще заметно меньше времени жизни. Перегиб Р, при возрастающей температуре тогда должен быть обусловлен контактами. [46]
В том смысле, что концентрация неосновных носителей в базе у границы перехода падает до нуля. [47]
С повышением температуры полупроводника возрастает концентрация неосновных носителей и, следовательно, увеличивается сила тока в запорном направлении. [48]
Здесь рп и пр - концентрации неосновных носителей, а / и 1р - их диффузионные длины соответственно в электронной и дырочной областях; 5 - площадь п - р-перехода. [49]
Приведенные соображения позволяют установить величину концентрации неосновных носителей у границ электронно-дырочного перехода. [50]
Выше рассматривался вопрос о распределении концентрации неосновных носителей в предположении, что в силу реализации условия нейтральности заряд неосновных носителей всегда компенсируется соответствующим перераспределением основных носителей. Это означает, что всюду, где существуют неравновесные неосновные носители, имеется равная им концентрация избыточных ( неравновесных) основных носителей. Таким образом, изображенное на рисунках 163 и 164 распределение концентрации неосновных носителей с полным основанием может рассматриваться и как распределение неравновесных основных носителей. [51]
Согласно выражению ( 3) концентрацию неосновных носителей на границах p - n - перехода можно принять равной нулю уже при Иь 0 1 В. При дальнейшем увеличении иъ ( по абсолютному значению) распределение концентрации носителей вне p - n - перехода не изменяется, следовательно, вне р-л-перехода при изменении напряжения заряд не изменяется, поэтому диффузионная емкость при обратном напряжении мала. [52]
Рассмотрим малые уровни инжекции, когда концентрация неосновных носителей в областях структуры не превышает равновесную концентрацию основных носителей электронов пп и напряжения L / ЭБ и UR. [53]
Чем больше U, тем выше концентрация неосновных носителей, тем быстрее происходят их растекание и рекомбинация и тем больше ток через р - ге-переход. [54]
Восстановление здесь означает момент, когда концентрация неосновных носителей достигает нуля, так как именно при этих условиях переход смещен в обратном направлении. [55]
В отличие от концентрации основных носителей концентрация неосновных носителей в области 2 резко увеличивается с ростом температуры. Действительно, в соответствии с (1.3) равновесная концентрация неосновных носителей - дырок в электронном полупроводнике pnon-f / nno, где п 0 - равновесная концентрация электронов в электронном полупроводнике. [56]
При повышении температуры окружающей среды увеличивается концентрация неосновных носителей, что приводит согласно уравнению ( 5) к увеличению обратного тока диода. При больших значениях прямого тока начинает сказываться увеличение падения напряжения на слоях полупроводника вне р-п-перехода, сопротивление которых с повышением температуры увеличивается. Это приводит к уменьшению прямого тока с повышением температуры. [57]
Встречающиеся в формулах (58.21) и (58.22) концентрации неосновных носителей тоха пр и рп играют важную роль в теории выпрямляющих свойств р - л-перехода. Поэтому следует выяснить механизм появления электронов в / - области и дырок в - области. [58]