Концентрация - неравновесный носитель - заряд
Cтраница 1
Концентрация неравновесных носителей заряда уменьшается по экспоненциальному закону. За время, равное времени жизни носителей, концентрация неравновесных носителей уменьшится в е раз. [1]
Концентрация неравновесных носителей заряда после прекращения внешнего воздействия ( например, освещения) начинает быстро спадать, приближаясь к равновесному значению. При этом исчезновение избыточных носителей заряда обусловлено процессами рекомбинации. [2]
При неодномерных процессах концентрации неравновесных носителей заряда по толщине базовых слоев в один и тот же момент времени распределяются по-разному в различных участках тиристора. Для изучения неодномерных процессов используется неодномерная модель тиристора. Изменение концентраций неравновесных носителей заряда исследуется в этом случае не только вдоль координатной оси, нормальной к плоскостям р-п переходов, но и вдоль координатных осей, параллельных плоскостям р-п переходов тиристора. [3]
В примесных полупроводниках в большинстве случаев концентрация неравновесных носителей заряда намного меньше концентрации равновесных основных носителей, но может быть соизмерима и даже больше, чем концентрация неосновных носителей. [4]
Для выключения ДОТ необходимо, чтобы концентрация неравновесных носителей заряда в базах прибора за время действия отрицательного импульса управления уменьшилась до нуля. В противном случае благодаря наличию положительного потенциала на аноде может произойти повторное включение прибора. [5]
 |
Инерционность фоторезистора при мгновенном включении и выключении светового потока. [6] |
Это объясняется конечным временем нарастания и спада концентрации неравновесных носителей заряда, которое определяется временем жизни неосновных носителей в данном полупроводниковом материале. В свою очередь время жизни неосновных носителей связано с наличием большого количества ловушек в поликристаллическом полупроводнике. Ловушки захватывают носители заряда при включении света и освобождают их после выключения. [7]
На рис. 4.13, д показано распределение концентрации неравновесных носителей заряда в базах ДОТ к моменту начала выключения при прохождении прямого анодного тока. [8]
Ток через контакт металл - полупроводник зависит от концентрации неравновесных носителей заряда, поэтому при различных расстояниях х между световым зондом и детектором ток через детектор меняется. [10]
Диффузионной длиной L называют расстояние, на котором концентрация неравновесных носителей заряда убывает в е раз. [11]
Освещение полупроводника светом не приводит к бесконечному росту концентрации неравновесных носителей заряда, так как по мере роста концентрации свободных носителей и числа свободных мест на примесных уровнях растет вероятность рекомбинации. Наступает момент, когда рекомбинация уравновесит процесс генерации свободных носителей. [12]
Сразу же после начала освещения, по мере увеличения концентрации неравновесных носителей заряда начинает увеличиваться интенсивность процесса рекомбинации. Поскольку скорость генерации неравновесных носителей заряда остается постоянной при постоянной интенсивности освещения, то интенсивность рекомбинации скоро достигает интенсивности процесса генерации носителей, и устанавливается стационарное состояние неравновесной концентрации фотоносителей. [13]
Из выражений (4.8), (4.9) следует, что градиент концентрации неравновесных носителей заряда в базе транзистора можно считать постоянным, а концентрацию носителей заряда в базе - изменяющейся по линейному закону. Это показано на рис. 4.10, а, где пунктирная горизонтальная линия отмечает равновесное значение концентрации дырок в базе рп. [14]
Изменение заряда в р-п-переходе может быть вызвано также изменением концентрации инжектированных неравновесных носителей заряда в базе при прямом смещении р-и-пе-рехода. Отношение приращения инжектированного заряда к приращению прямого напряжения определяет диффузионную емкость p - n - перехода: Сд ф SQU. Диффузионная емкость превышает барьерную при прямом смещении p - n - перехода, однако она незначительна при обратном смещении. [15]
Страницы: 1 2 3