Концентрация - неравновесный носитель - заряд
Cтраница 3
 |
Импульсы тока ( а и напряжения ( б на образце. [31] |
Пбэтому импульс напряжения не повторяет форму импульса тока, а имеет спад, обусловленный возрастанием концентрации но сителей. По окончании первого, инжектирующего импульса тока процесс инжекции носителей в образец прекращается и концентрация неравновесных носителей заряда начинает уменьшаться за счет процесса рекомбинации. Этому соответствует увеличение сопротивления образца и возвращение его к исходной величине. Закон изменения сопротивления образца во времени можно экспериментально определить, если измерять падение напряжения на образце от второго, измерительного импульса тока в зависимости от времени задержки. [32]
При подаче отрицательного импульса управления в базах прибора происходит уменьшение концентрации неравновесных носителей заряда, вследствие чего сопротивление баз и падение напряжения на структуре возрастают. Этот процесс продолжается в течение промежутка времени расс, называемого временем рассасывания, до тех пор пока концентрации неравновесных носителей заряда у центрального перехода не снизятся до нуля. [33]
Эта емкость складывается из барьерной емкости С6ар, обусловленной наличием в области объемного заряда ионизированных примесных атомов, заряд которых не скомпенсирован основными носителями, и диффузионной емкости Сдиф, связанной с инерционностью установления распределения концентраций неравновесных носителей заряда внутри р - и к-областей структуры. [34]
При неодномерных процессах концентрации неравновесных носителей заряда по толщине базовых слоев в один и тот же момент времени распределяются по-разному в различных участках тиристора. Для изучения неодномерных процессов используется неодномерная модель тиристора. Изменение концентраций неравновесных носителей заряда исследуется в этом случае не только вдоль координатной оси, нормальной к плоскостям р-п переходов, но и вдоль координатных осей, параллельных плоскостям р-п переходов тиристора. [35]
Как нетрудно определить из рис. 3.6 и 3.14, это падение напряжения суммируется с напряжением источника питания и при прямом смещении эмиттера увеличивает Ек, а при обратном уменьшает, что в соответствии с (3.36) меняет / к в режиме насыщения. В течение периода рассасывания концентрации накопленных неосновных носителей у эмиттера и коллектора велики и сопротивления р - - переходов обратному току малы. После того как концентрация неравновесных носителей заряда у коллекторного перехода уменьшится до нуля, ток коллектора начнет уменьшаться вследствие уменьшения градиента концентрации неосновных носителей в базе. [36]
 |
Свечение на поверхности диода из арсенида галлия вследствие поверхностной рекомбинации. [37] |
В этом случае электрическое поле всюду будет равно нулю. Так как на поверхности образца существует рекомбинация, то концентрация избыточных носителей заряда у поверхности должна быть меньше, чем в объеме, вдали от поверхности. Наличие градиента концентрации неравновесных носителей заряда должно создать диффузионный поток, направленный из объема полупроводника к его поверхности. Величина тока будет тем больше, чем больше происходит актов рекомбинации и чем ближе к поверхности находится элемент объема, ток в котором мы рассматриваем. Ток должен обращаться в нуль на поверхности. [38]
Внешнее электрическое поле, направленное вдоль оси образца ( ось х), обеспечивает инжекцию неосновных носителей заряда. Чтобы упростить уравнение (67.1), будем считать, что электрическое поле отсутствует: Е 0, а избыточная концентрация создается некоторым источником, дающим независящую от координаты скорость генерации носителей заряда G. В этом случае электрическое поле всюду будет равно нулю. Так как на поверхности образца существует рекомбинация, то концентрация избыточных носителей заряда у поверхности должна быть меньше, чем в объеме, вдали от поверхности. Наличие градиента концентрации неравновесных носителей заряда должно создать диффузионный поток, направленный из объема полупроводника к его поверхности. Величина тока будет тем больше, чем больше происходит актов рекомбинации и чем ближе к поверхности находится элемент объема, в котором мы рассматриваем ток. Ток должен обращаться в нуль на поверхности. [39]
Страницы: 1 2 3