Концентрация - неравновесный носитель - заряд
Cтраница 2
 |
Экспериментальные зависимости mf ( /. [16] |
Так, при рекомбинации через двухза-рядные центры связь между концентрациями неравновесных носителей заряда может быть кубической в довольно широком диапазоне концентраций. [17]
При подаче отрицательного импульса управления в базах прибора происходит уменьшение концентрации неравновесных носителей заряда, вследствие чего сопротивление баз и падение напряжения на структуре возрастают. Этот процесс продолжается в течение промежутка времени расс, называемого временем рассасывания, до тех пор пока концентрации неравновесных носителей заряда у центрального перехода не снизятся до нуля. [18]
Время жизни носителей заряда не является постоянным параметром полупроводника, так как оно зависит от концентрации неравновесных носителей заряда, температуры, концентрации примесей и дефектов решетки. [19]
 |
Свечение на поверхности диода из. [20] |
На поверхности полупроводника содержится ряд дефектов, играющих роль рекомбинационных ловушек, что приводит к поверхностной рекомбинации, уменьшающей концентрацию неравновесных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника. Если поверхность одного и того же полупроводника обработать различным образом, например, шлифовкой, полировкой, травлением, нанесением поверхностного покрытия, то время жизни, измеренное экспериментально, будет различным, оно зависит от способа обработки поверхности. Наличие поверхностной рекомбинации можно наблюдать визуально или с помощью электронно-оптического преобразователя. На рис. 99 приведена фотография диода из арсенида галлия, в котором инжекция создается большими импульсами тока. [21]
Здесь тр1 / й - время жизни неравновесных носителей заряда ( дырок) в полупроводнике; за время / тр концентрация неравновесных носителей заряда в полупроводнике убывает в 2 7 раза. [22]
На поверхности полупроводника содержится целый ряд дефектов, играющих роль рекомбинационных ловушек, что приводит к поверхностной рекомбинации, уменьшающей концентрацию неравновесных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника. Если поверхность одного и того же полупроводника обработать различным образом, например, шлифовкой, полировкой, травлением, нанесением поверхностного покрытия, то время жизни, измеренное экспериментально, будет различным, оно зависит от способа обработки поверхности. Наличие поверхностной рекомбинации можно наблюдать визуально или с помощью электронно-оптического преобразователя. На рис. 93 приведена фотография диода из арсенида галлия, в котором инжекция создается большими импульсами тока. Из рис. 93 видно, что приповерхностные слои образца светятся, в то время как объем остается темным ( за исключением р - п - перехода, где возникает стимулированная рекомбинация) Поверхностная рекомбинация обычно характеризуется так называемой скоростью поверхностной рекомбинации s, которую можно ввести следующим образом. [23]
 |
Спектральные характеристики некоторых фоторезисторов. [24] |
Используя формулы ( 9.1 - 9.4), можно показать, что удельная чувствительность падает с увеличением светового потока, если концентрация возбужденных неравновесных носителей заряда больше равновесных. [25]
В предыдущем анализе фотопроводимости, где предполагалась однородная генерация носителей заряда по всему объему образца, не была учтена рекомбинация носителей заряда на поверхности, которая приводит к относительному уменьшению концентрации неравновесных носителей заряда вблизи поверхности. [26]
Для изучения одномерных процессов используется одномерная модель тиристора. Изменение концентраций неравновесных носителей заряда, которое отражает изменение состояния тиристора или изменение режима его работы, в этом случае исследуется только вдоль одной координатной оси, нормальной к плоскостям электронно-дырочных переходов. [27]
Определение диффузионной длины основано на измерении пространственного распределения концентрации неравновесных носителей заряда, возбужденных светом. Измерения проводятся на образцах германия при комнатной температуре. [28]
Спустя некоторое время ( время задержки) после окончания действия инжектирующего импульса тока через очечный контакт пропускается второй импульс тока, с помощью ьвторого производится измерение. Напряжение на образце в момент подачи измерительного импульса тока зависит от концентрации неравновесных носителей заряда, которые не успели еще проэекомбинировать. [29]
Рассмотрим процессы, происходящие в полупроводниковом образце, в котором создана однородная концентрация неравновесных носителей заряда. [30]
Страницы: 1 2 3