Концентрация - поле
Cтраница 1
 |
Структура ( а и эквивалентная схема ( tf транзистора с барьером Шоттки. [1] |
Концентрация поля снижает предельные обратные напряжения. [2]
 |
Кривые распределения магнитного и в слУчае кривой 3 в поля вдоль оси неэкранированной ( кривая / и экранированных магнитных линз ( кривые 2 и 3. [3] |
Концентрация поля около середины щели видна вполне отчетливо. [4]
 |
Типы коротких катушек с магнитопрово-дамп и распределение поля / /, (. в них [ Л. 22 ]. [5] |
При этом концентрация поля позволяет сократить размеры электроннооптических приборов. При равном фокусном расстоянии катушки с магнитопроводом должны иметь меньшее число ампер-витков и поэтому потребляют гораздо меньшую мощность, чем катушки без магнитопро-вода. [6]
Преобразователь создает концентрацию поля по осевой линии трубы. [7]
Таким образом, концентрация поля и резонанс в диэлектрической области в ЭДР АК являются следствием явления высокодобротного резонанса в ОДР АК, поскольку и то, и другое определяется малой величиной просачивания через границу диэлектрика. Однако для реализации эффекта концентрации ( диэлектрического) в ЭДР необходим еще определенный размер экрана. [8]
В последних двух главах рассматривается концентрация поля в некоторых ограниченных областях пространства, в которых имеют место определенные комбинации длин волн и неоднородностей среды; это приводит к эффекту, который можно назвать своего рода удержанием излучения. [9]
 |
Зависимость коэффициента замедления т от нормированной ширину волновода а / К при различных значениях t / a и d / a. [10] |
Оба эти эффекта объясняются ростом концентрации поля в пластине: в первом случае за счет перемещения ее в область большей напряженности электрического поля, во втором - за счет увеличения ее относительных размеров. Порядок использования таблиц ничем не отличается от рассмотренного выше случая гл. [11]
Максимальная напряженность рассмотренных конструкций определяется концентрацией поля вблизи кромки. [13]
Уменьшение бокового излучения в полосковом волноводе достигнуто путем концентрации поля в центральных областях сечения благодаря наличию узкого центрального проводника. [14]
При еще большем удалении от плоскости ЕЕ область концентрации поля также будет иметь размеры, значительно меньшие радиуса первой зоны Френеля. Указанное соотношение между rl и w0 и составляет основной признак дифракции Фраунгофера. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5