Концентрация - поле
Cтраница 5
Как и для затухания, обусловленного потерями в металлических стенках, зависимость диэлектрических потерь от заполнения при малых заполнениях слабая. С дальнейшим ростом заполнения диэлектрические потери существенно возрастают, достигают некоторого максимума и при заполнениях, близких к полному, несколько уменьшаются. Такая зависимость затухания, обусловленного диэлектрическими потерями, легко объясняется эффектом концентрации поля в диэлектрике. В самом деле, при малых заполнениях концентрация поля в диэлектрике мала, так как диэлектрик находится в местах с малой напряженностью поля. [61]
 |
Спектр излучения ОКГ. [62] |
Требуемую точность юстировки определяют допустимым углом непараллельности раскрывов зеркал, при котором добротность резонатора уменьшается в 2 раза. Для плоских зеркал допустимый угол непараллельности составляет единицы секунд. Гораздо меньшая чувствительность к точности юстировки резонаторов со сферическими зеркалами объясняется сильной концентрацией поля вблизи оси системы. [63]
Чтобы получить более достоверную картину структуры поля в области центрального проводника, был построен ряд графиков распределения поля при помощи стандартных методов построения графиков потока. Один из таких графиков показан на фиг. На нем совершенно ясно видна нейтральная плоскость, которую не пересекает ни одна силовая линия, а также концентрация поля в области полоски. [64]
Очевидно, т1 соответствует большей концентрации поля, чем модель Глазера. Формула (8.63) дает распределение, близкое к случаю ненасыщенной линзы, но, к сожалению, при этом уравнение параксиальных лучей нельзя точно проинтегрировать. В любом случае, даже если необходимы численные вычисления, уравнение (8.61) дает ценную модель для сравнения магнитных линз с разной степенью концентрации поля. [65]
Открытая несимметричная линия является простой в изготовлении и настройке. Открытые несимметричные линии обычно применяются с платами из диэлектриков с высокими диэлектрическими проницаемостями е ( около десяти), что уменьшает потери на излучение в результате концентрации поля в диэлектрике. Такие линии называют микропо-лосковыми и применяют в интегральных схемах. [66]
Как и для затухания, обусловленного потерями в металлических стенках, зависимость диэлектрических потерь от заполнения при малых заполнениях слабая. С дальнейшим ростом заполнения диэлектрические потери существенно возрастают, достигают некоторого максимума и при заполнениях, близких к полному, несколько уменьшаются. Такая зависимость затухания, обусловленного диэлектрическими потерями, легко объясняется эффектом концентрации поля в диэлектрике. В самом деле, при малых заполнениях концентрация поля в диэлектрике мала, так как диэлектрик находится в местах с малой напряженностью поля. [67]
Страницы: 1 2 3 4 5