Концентрация - акцепторная примесь
Cтраница 2
При обычных температурных условиях почти все примесные атомы ионизируются, поэтому pp yVa, где Na - концентрация акцепторной примеси, рр - концентрация дырок в полупроводнике р-типа. В этом случае основными носителями являются дырки, а неосновными - электроны проводимости. Соответственно Пр п, так как концентрация электронов при введении примеси уменьшается вследствие увеличения вероятности рекомбинации электронов с возросшим числом дырок. [16]
При обычных температурных условиях почти все примесные атомы ионизируются, поэтому рр ж Na, где Na - концентрация акцепторной примеси, рр - концентрация дырок в полупроводнике р-типа. В этом случае основными носителями являются дырки, а неосновными - электроны проводимости. [17]
Из ф-л (9.4) и (9.5) следует, что увеличение концентрации до-норных примесей смещает уровень Ферми вверх относительно середины запрещенной зоны, а увеличение концентрации акцепторных примесей - вниз относительно середины запрещенной зоны. При концентрации примесей порядка 1019 см-3 уровень Ферми электронного полупроводника располагается внутри зоны проводимости, а уровень Ферми дырочного полупроводника - внутри валентной зоны. Наличие столь высокой концентрации примесей существенно уменьшает удельное сопротивление полупроводника, так что по своим электрическим свойствам он мало чем отличается от проводника. В связи с этим полупроводники, характеризующиеся высокой концентрацией примесей, называют вырожденными полупроводниками. [18]
Чему равна концентрация дырок и электронов проводимости в примесном германии, содержащем 1 атом донорных примесей на 109 основных атомов и такую же концентрацию акцепторных примесей. [19]
Таким образом, чтобы, например, от материала типа п перейти к материалу типа р, необходимо так проводить циклы диффузии, чтобы концентрация акцепторных примесей в интересующей нас области превышала бы концентрацию ранее введенных донорных атомов. Изменение типа проводимости называют компенсацией. Понятно, что изменять тип проводимости можно ограниченное число раз, которое в пределе определяется твердофазной растворимостью атомов примеси. Практика позволила установить, что, не вызывая серьезных последствий, компенсацию можно проводить последовательно не более трех-четырех раз. [20]
Если необходимо получить высокую эффективность эмиттера, то толщина базы W должна быть сделана незначительной, концентрация донорной примеси в базе должна быть низкой, а концентрация акцепторной примеси в эмиттере - высокой. [21]
Чему равна концентрация дырок и электронов проводимости при этой температуре в примесном германии, содержащем 1 атом донорных примесей на Ю9 основных атомов и такую же концентрацию акцепторных примесей. [22]
Здесь VD - точка пересечения с осью напряжений экстраполированной зависимости С-2 от V, VD - точка на оси напряжений, соответствующая диффузионному потенциалу, е - диэлектрическая проницаемость полупроводника, NA - концентрация акцепторной примеси. [23]
Коэффициент усиления планарного транзистора в инверсном активном режиме чрезвычайно мал в основном по двум причинам: во-первых, / dK2 / dni, поскольку ( Лк - Аэ) Аа, и, во-вторых, / йк / dKi, поскольку NA NDK, где TV A - концентрация акцепторной примеси в базе, a NDK - концентрация донорной примеси в коллекторе. [24]
 |
Вольт-амперная характеристика диода четвертого.| Типичная ампер-временная характеристика диода. [25] |
Если же источник тока Еу подключен плюсом к эмиттеру ( рис. 7 - 20, б), переход 1 для тока / у ( тока управления) будет открыт. Концентрация акцепторной примеси ( р) в слое эмиттера создается значительно более высокой, чем концентрация донорной примеси в слое базы. Сопротивление перехода 1 уменьшается пропорционально количеству подсосанных электронов. [26]
 |
Кристаллическая решетка германия или кремния с акцепторной примесью. [27] |
Концентрация донорной или акцепторной примеси характеризуется числом атомов примеси в единице объема полупроводника. Концентрация донорной примеси обозначается ND, а концентрация акцепторной примеси NA Чтобы примесь существенно повлияла на характер проводимости полупроводника, концентрация примеси ND или N А должна быть на порядок или несколько порядков больше собственной концентрации свободных носителей пг. [28]
 |
Полоса разброса пробивных напряжений ( а. [29] |
Особенностью ее является ступенчатая форма / - я-перехода, имеющего круговую центральную часть J и кольцевую периферическую часть Jz. В периферической части J2 переход выполняется с мснь-шим градиентом концентраций акцепторных примесей ( алюминий) и с косым срезом по его наружной поверхности. [30]
Страницы: 1 2 3