Концентрация - акцепторная примесь
Cтраница 3
 |
Структурные схемы транзисторов типа р-п - р ( а и п-р - п ( б и их условные обозначения ( в и ( г. [31] |
В структуре типа р-п - р исходный монокристалл имеет п-прово-димость. В два наружных слоя его вводятся путем сплавления с примесным элементом ( сплавной триод) либо путем диффузии ( диффузионный триод) атомы акцепторной примеси. Концентрация акцепторной примеси в наружных слоях превышает примерно на два-три порядка концентрацию ранее введенной донорной примеси. [32]
 |
Образование электронно-дырочного перехода путем диффузии сурьмы в р-германий. [33] |
Рассмотрим случай, когда в р-германий вводится сурьма. Диффундируя в глубь германия, сурьма создает там некоторую концентрацию донор-ных примесей, меняющуюся в соответствии с полученным решением. Если концентрация акцепторных примесей в исходной пластинке р-типа германия достигает N0, то, когда концентрация сурьмы превысит Л 0, в германии образуется участок / г-типа и возникнет электронно-дырочный переход. [34]
Рассмотрим случай, когда в р-германий вводится сурьма. Диффундируя в глубь германия, сурьма создает там какую-то концентрацию донорных примесей, меняющуюся в соответствии с полученным решением уравнения. Если концентрация акцепторных примесей в исходной пластинке р-типа германия достигает N0, то когда концентрация сурьмы с превысит NO, в германии образуется участок - типа и возникает электронно-дырочный переход. [35]
 |
Межзонные переходы в р - / г-перехо-де из вырожденных полупроводников при прямом смещении.| Конструкция лазера на р - - переходе и спектр его излучения. [36] |
Во-первых, уменьшится Eg и, во-вторых, уровень Ферми будет расположен в разрешенной зоне. Аналогичные изменения произойдут и при увеличении концентрации акцепторной примеси в полупроводнике р-типа, но уровень Ферми будет расположен в валентной зоне. Такие полупроводники называются вырожденными вследствие того, что электроны ведут себя подобно вырожденному электронному газу. [37]
 |
Локальная диффузия примеси. [38] |
Во время второй диффузии в полученный р-слой, но уже на меньшую глубину вводится донорная примесь и образуется n - слой. В результате получается трехслойная структура. Очевидно, что концентрация донорной примеси, вводимой при второй диффузии, должна быть больше концентрации акцепторной примеси, вводимой при первой диффузии. [39]
На одну сторону накладывают фольгу из подходящего сплава ( например, золотую), содержащую немного сурьмы, в то время как другую прикрывают алюминиевой фольгой. При нагревании держателя до 600 - 700 С золото с сурьмой с одной стороны и алюминий с другой сплавляются с кремнием, проникая на глубину, определяемую температурой и толщиной фольги. Если осторожно охлаждать держатель, жидкий сплав кремния с золотом, содержащий как акцепторные, так и донорные атомы, затвердевает, образуя монокристаллический слой кремния, который растет вследствие взаимодействия твердой и жидкой фаз. Относительно высокая концентрация донорных примесей в расплаве по сравнению с концентрацией акцепторной примеси приводит к образованию слоя с n - проводимостью. На другой стороне кремниевой пластинки охлаждается расплав кремния с алюминием, образуя подобным же образом р - р-переход. Часто со стороны алюминия прикладывают также переходную пластинку. В этом случае слой алюминия с кремнием служит припоем. [40]
 |
Энергетические диаграммы кремния р-типа ( а и двуокиси кремния ( б. [41] |
Имеет место также другой механизм, способствующий образованию первоначального инверсного слоя. Он обусловлен разностью работ выхода кремния, двуокиси кремния и материала затвора. Рассмотрим сначала искривление энергетических зон на границе раздела полупроводник - диэлектрик, вызванное разностью работ выхода кремния и двуокиси кремния. Однако следует иметь в виду, что работа выхода зависит от концентрации легирующей акцепторной примеси, так как уровень легирования определяет положение уровня Ферми. Работа выхода двуокиси кремния 7psio, для слоев толщиной 1500 - 6000 А составляет - 4 4 эВ, причем двуокись кремния проявляет свойства полупроводника n - типа. [42]
Страницы: 1 2 3