Концентрация - акцепторная примесь
Cтраница 1
Концентрация акцепторной примеси в базе низкая, а концентрация донорной примеси в эмиттере и коллекторе высокая. [1]
N - концентрация акцепторной примеси; Рнач - исходная концентрация акцепторной примеси в пластинке полупроводника. [3]
В германиевом туннельном диоде концентрация акцепторной примеси равна концентрации донорной примеси, причем на каждые 103 атомов германия приходится один атом примеси. [4]
Например, с увеличением концентрации акцепторной примеси в инжекторе эффективность инжектора возрастает. Как и следовало ожидать, для инжекционных структур с меньшим расстоянием между инжектором и базой коэффициент apw выше, но изготовление горизонтальных транзисторов с воспроизводимым расстоянием между областями р-типа меньше, чем 3 мкм, затруднительно. [6]
Заметим, что напряжение пробоя зависит от концентрации акцепторной примеси. [7]
Аналогично ведет себя и полупроводник р-типа при увеличении в нем концентрации акцепторной примеси. [8]
В двойной гетероструктуре на основе того же тройного соединения QaAlAs возможно увеличение концентрации легирующей акцепторной примеси NH при постоянной толщине базовой области. За счет этого растет граничная частота, но одновременно увеличивается туннельная компонента прямого тока, а внешний квантовый выход ц уменьшается. Существует некоторое оптимальное значение Na, при котором достигается максимальное произведение TI / VP, представляющее собой обобщенный показатель эффективности излучателя в оптроне. [9]
В р-области Йреобладает дырочная проводимость, ее концентрация выражается как NA, т.е. концентрация акцепторной примеси. Электрод, подводимый к р-области, получил название анод. В n - области преобладает электронная проводимость, ее концентрация выражается как, т.е. концентрация донорной примеси. Электрод, подводимый к n - области, получил название катод. В реальном диоде выполняется неравенство NA N, и р - гг-переход получил название несимметричного. [10]
ЕО - диэлектрическая проницаемость вакуума; в - диэлектрическая проницаемость кремния; Na - концентрация акцепторных примесей в базе у эмиттерного перехода; фк - контактная разность потенциала, приблизительно равная 1 В; U - обратное - напряжение на переходе. [11]
Известно, что увеличение концентра ции донорных примесей смещает уровень Ферми вверх, а увеличение концентрации акцепторных примесей - вниз относительно середины запрещенной зоны. [12]
 |
Структурная схема или разности между. [13] |
В структуре типа р - п - р исходный монокристалл имеет n - проводимость, а концентрация акцепторной примеси в наружных слоях превышает в 100 - 1000 раз концентрацию исходной донор-ной проводимости. В транзисторах со структурой п-р - п исходный монокристалл обладает р-проводимостью, а наружные слои его вводят донорные примеси. [14]
В структуре типа р - п - р исходный монокристалл имеет n - проводимость, а концентрация акцепторной примеси в наружных слоях превышает в 100 - 1000 раз концентрацию исходной донор-ной проводимости. В транзисторах со структурой п-р - п исходный монокристалл обладает / 7-проводимостью, а наружные слои его вводят донорные примеси. [15]
Страницы: 1 2 3