Концентрация - германий
Cтраница 1
Концентрация германия в растворах 6 - 8 М НС1 выше, если к ним прибавлять GeCl4, а не GeO2, хотя состав твердой фазы в обоих случаях одинаков. [1]
Концентрация германия в растворе над сульфидным осадком обратно п опо цион Л н 1 кислотности что может об яиняться обра овэнием в этих условиях анионов растворимой тиогерманиевон кислоты. Для расшифровки механизма осаждения германия весьма важно знать точный состав выделяющейся твердой фазы. [2]
Концентрацию германия находят по калибровочному графику, построенному по стандартным растворам. [3]
При концентрации германия, не превышающей 1 9 г-м 1 и рН 0 78 - 9 0 сорбируется только однозарядный анион Ge D -, при рН 11 -только анионы германиевой и винной кислот, а при рН 9 - И - смесь комплексных и простых анионов. [4]
При концентрации германия, не превышающей 1 9 г-л 1 и рН 0 78 - 9 0 сорбируется только однозарядный анион GeD -, при рН 11 -только анионы германиевой и винной кислот, а при рН 9 - 11 -смесь комплексных и простых анионов. [5]
С повышением концентрации германия равновесие сдвигается вправо. При рН 11 обнаруживаются ионы Ge ( OH) 62 -, при рН 7 наряду с анионами германиевых кислот присутствуют и катионы германия [15], о чем свидетельствует сорбция германия на катионитах. [6]
С повышением концентрации германия равновесие сдвигается вправо. [7]
При увеличении концентрации германия до 5 - 10 - 2 - 10 - 2 м / л при рН 9 - 9 5 характер кривой несколько меняется, но закономерностей в ходе изменения кривой нами не наблюдалось. [8]
По мере кристаллизации концентрация германия в расплаве уменьшается, рекристаллизованная область все более насыщается индием и переходит, наконец, в чистый индий. Индиевая капля играет роль невыпрямляющего контакта с дырочным слоем полупроводника. [9]
При дальнейшем охлаждении концентрация германия в расплаве уменьшается, рекристаллизованная область все более насыщается индием и переходит, наконец, в чистый индий. Индиевая капля играет роль невыпрямляющего контакта с дырочной областью германия. На границе раздела исходного германия - типа и рекри-сталлизованной области германия р-типа образуется электронно-дырочный переход. [10]
При дальнейшем охлаждении концентрация германия в расплаве уменьшается, рекристаллизованные слои все более насыщаются индием и переходят, наконец, в чистый индий. На границе; раздела исходного германия и-типа и слоя рекристаллизованного германия р-типа образуется электронно-дырочный переход. [11]
 |
Диаграмма состояния системы германий - алюминий.| Диаграмма состояния системы германий - галлий.| Диаграмма состояния системы германий - индий. [12] |
К, а концентрация германия в эвтектической точке должна составлять 0 01 ат. [13]
Колориметрирование растворов с концентрацией германия 0 05 - 450 мг-л 1 [876] проводят после 20-минутного выстаивания. [14]
Между скоростью реакции и концентрацией германия существует линейная зависимость. [15]
Страницы: 1 2 3 4