Концентрация - акцептор
Cтраница 1
Концентрация акцептора, отвечающая уравнению (IX.2), называется критической. При концентрациях акцептора, превышающих критическую, накопление катализирующего агента происходит с постоянной скоростью, при этом долговечность полимера резко увеличивается. [1]
Концентрация акцепторов в слое 4 определяет пороговое напряжение, а его толщина - эффективную длину канала. Высокая концентрация акцептооов в слое 4 предотвращает смыкание р-п переходов. Достаточно большое напряжение пробоя обеспечивается малой кривизной переходов. Так как канал образуется по всем боковым стенкам канавки, то его ширина определяется ее периметром. [2]
Концентрацию акцепторов в области базы - типа можно не учитывать, так как она очень мала. [3]
Определены концентрации акцепторов пероксирадикалов по модифицированной модельной цепной реакции инициированного окисления кумола в асфальтенах, смолах и маслах. [4]
Повышение концентрации акцепторов в пассивной р - базе уменьшает заряд электронов, накапливаемых в ней при включении переключательного транзистора, снижает сопротивление пассивной базы и увеличивает ( iyvn - Распределение концентраций примесей в активной области базы, создаваемое диффузией акцепторов вверх - из подложки ( см. рис. 7.29, в), обеспечивает ускоряющее электрическое поле для электронов, движущихся от эмиттера к коллектору, тем самым уменьшается их время пролета через базу. Напомним, что в активной базовой области переключательного транзистора со структурой, показанной на рис. 7.20, существует тормозящее электрическое поле для электронов, движущихся от эмиттера к коллектору, что связано с инверсным ( по отношению к обычным п-р - п транзисторам) включением этого транзистора. [5]
Изменяя концентрацию акцепторов и доноров, можно в широких пределах изменять электр. Характер линейных дефектов и создаваемых ими полей смещений описывают с помощью контура Бюргерса. В кристалле с линейным дефектом контур Бюргерса может быть либо замкнутым, либо разомкнутым ( рис. 2), в связи с чем их подразделяют на две подгруппы. Первой подгруппе ( замкнутый контур Бюргерса) соответствуют иглообразные дефекты ( рис. 2, б), напр. Вторую подгруппу ( разомкнутый контур Бюргерса) составляют дислокации. [7]
При концентрациях акцептора, меньших [ Ас ] кр, процесс дезактивации первичного возбуждения начинает все более заметно конкурировать с исчезновением экси-комплекса в результате химической реакции. В табл. 10 приведены значения наблюдаемой константы скорости исчезновения первичной частицы в растворах ионов нитрата различной концентрации. [8]
СА - концентрация акцептора, a ktr - константа скорости второго порядка. В растворе, состоявшем из смеси этанола с эфиром, значения kir % u оказались равными 0 7 - 2 3 л / моль, и, следовательно, чтобы получить ощутимое тушение триплетов донора и сенсибилизацию акцептора, требовались весьма высокие концентрации последнего. [9]
 |
Влияние легирования донорной примесью кристалла состава М А на концентрации дефектов ( пунктиром обозначено изменение п, р и [ D ], когда А0. [10] |
Если же концентрация акцепторов в кристалле столь высока, что условие электронейтральности должно записываться как [ м ] р, то введение донорной примеси приводит к взаимному увеличению концентраций ионизированных донорных и акцепторных атомов. [11]
 |
Влияние радикальных акцепторов на деструкцию пластифициро-в. иного ацетата целлюлозы. [12] |
Природа и концентрация радикального акцептора, добавляемого при мастикации, не влияют на развитие процесса деструкции. [13]
При повышении концентрации акцептора величина а растет и отношение ф падает. [14]
С увеличением концентрации акцептора, перилена ( который лишь слабо поглощает при 3650 А), сильно возрастало суммарное испускание флуоресценции и наблюдалась флуоресценция перилена. Это показывает, что поглощенная 1-хлорантраценом энергия синглетного электронного возбуждения передается перилену в результате безызлучательного процесса, аналогичного такому же процессу в твердой фазе при 77 К и в жидкостях при комнатной температуре. [15]
Страницы: 1 2 3 4