Cтраница 2
Предполагается, что концентрация акцепторов 7Va немного меньше концентрации доноров Nd, однако полупроводник остается высокоомнЫм, ft - типа проводимости. [16]
![]() |
Механизм сенсибилизованной антистоксовой замедленной флуоресценции в случае перекрестного тушения триплетов. [17] |
Наконец, если концентрация акцептора и скорость поглощения света столь велики, что исчезновение акцептора определяется аннигиляцией, эффективность замедленной флуоресценции может достигать высоких значений. [18]
Множитель Nn пропорционален концентрации акцептора с. Полагая N - оо, считаем п бесконечно малым, чтобы Nn было конечным. [19]
Допустим, что концентрация акцепторов п мала ( / га - 1, а - постоянная решетки), a t 7 где Т - время перескока. [20]
Зависимость подвижности дырок от концентрации акцепторов при комнатной температуре изображена на фиг. Большинство этих данных можно получить только упомянутыми выше косвенными методами; однако соответствие между результатами различных авторов удовлетворительно. Наибольшее из достоверных значений подвижности равно 750 см2 / в сек; оно наблюдалось в образце с концентрацией примесей меньше 5 - 1014 CM Z. Сообщалось также и о более высоких значениях, но они обычно определялись путем экстраполяции данных, полученных при низких температурах. Гудвин [48], однако, привел для подвижности дырок значение 800 см2 / в сек, и, хотя в его опытах нет явной ошибки, все же тот факт, что он получил неверную величину подвижности электронов, означает, что его образцы в некотором отношении были несовершенны. [21]
На рис. 28 приведены сравнительные концентрации акцепторов электронов кислорода, нитратов, сульфатов и двуокиси углерода и их восстановленных продуктов при различной активности электронов в типичных условиях в природных водах. [22]
![]() |
Влияние концентрации бензохинона на эффективность мастикации. [23] |
С целью определения влияния концентрации акцептора каучук подвергался мастикации в атмосфере азота при 55 и на воздухе при 140 в течение 30 мин. [24]
В широких пределах изменение концентрации акцептора не влияет на положение точки равновесия реакции. [25]
Как видно из рисунка, концентрация акцепторов в базе от эмиттерного перехода к коллекторному убывает по экспоненте. [26]
Напомним, что q пропорционально концентрации акцептора и кубу характеристического расстояния RQ. Значение коэффициента пропорциональности определяется по (2.7) или (2.9) в зависимости от предположения об ориен-тационном движении. [27]
При этом предполагается, что концентрация акцепторов достаточно высока, так что валентная зона пуста в области энергий в валентной зоне, соответствующей прямым переходам. [28]
В поле диффузного слоя изменяется концентрация заряженных акцепторов. Приэлектродная концентрация заряженных акцепторов при высоких абсолютных значениях г / - потенциал а может существенно отличаться от концентрации в глубине раствора. Например, при о / 0 концентрация положительно заряженных акцепторов ( ион Н30) увеличивается, тогда как отрицательных ( ион N03) снижается. [29]
Если концентрация электронов сравнима с концентрацией акцепторов, зависимость п ( у) имеет более плавный характер. [30]