Концентрация - акцептор
Cтраница 3
Различие в характере зависимости фототока от концентрации акцептора для двух потенциалов может служить экспериментальным подтверждением рассматриваемого механизма влияния спиртов на фотодиффузионные токи. Дополнительный вывод работы [53] обстоит в том, что окислению радикала RCHOH на ртути предшествует стадия адсорбции. Константа скорости окисления при - 1 4 в составляет 10 - 3 см / сек. [31]
Можно ожидать, что с увеличением концентрации акцептора должны возрастать возможность взаимодействия его с радикалами R и, следовательно, выход аддитивного димера. Следовательно, для повышения выхода аддитивного димера, как правило, в подвергаемом электролизу растворе должен существовать значительный избыток акцептора. [33]
Чарлсби и др. [44] исследовали влияние концентрации акцептора - антрацена и мощности дозы на радиолитические превращения гексана, циклогексана и поликсилоксанов. [34]
Зависимость подвижности дырок при 77 К от концентрации акцепторов представлена на фиг. [35]
 |
Схема двухтемпературного электропроводности с по. [36] |
Избыток сурьмы в расплаве позволяет несколько уменьшить концентрацию акцепторов, но не устраняет полностью эффекта нестехиометричности. [37]
Максимальная подвижность дырок в образце InSb с концентрацией акцепторов 1015 см-3 равняется 10 000 см / в-сек при 78 К. Средняя подвижность дырок при комнатной температуре составляет 750 см2 / в-сек. [38]
В любом реальном полупроводнике всегда имеется и некоторая концентрация акцепторов. Поэтому часть электронов с донорных уровней перейдут на акцепторные. Электроны, локализованные на донорных уровнях, получают, таким образом, возможность перескочить на свободные донорные уровни. Приложение внешнего электрического поля приводит к тому, что прыжки приобретают направленный характер. Если температуру полупроводника повышать, то в зоне проводимости постепенно начинает доминировать обычная проводимость. [39]
Кинетический анализ зависимости фототока от потенциала электрода, концентрации акцептора, рН раствора, а в некоторых случаях также и от времени аналогичен анализу обычных поляризационных кривых. [40]
Величина ( у) г не зависит от концентрации акцептора, а величина ( и) 2 растет с ростом, этой концентрации. [41]
Если при низких температурах возрастание тока может увеличивать концентрацию возбужденных нейтральных акцепторов, то, поскольку сечение излучательной рекомбинации через возбужденный уровень больше, чем соответствующее сечение через основное состояние акцептора, значение гмакс должно увеличиваться. [42]
При неравномерном легировании базовой области ( с плавным увеличением концентрации акцепторов от р-я-перехода к тыльной поверхности в базе р-типа) в ней возникает электрическое поле, приводящее к увеличению эффективной длины диффузионного смещения электронов и снижающее потери на объемную рекомбинацию генерированных светом носителей. Однако это приводит и к ряду негативных явлений: уменьшается напряжение холостого хода вследствие снижения потенциального барьера при уменьшении концентрации примеси вблизи р-я-перехода; уменьшаются значения времени жизни и диффузионной длины электронов в материале с большей концентрацией акцепторов. Поэтому более широкое распространение получили кремниевые СЭ с резким изотшшымр-р ( п-п) барьером вблизи тыльного металлического контакта. Наличие тыльного потенциального барьера обеспечивает отражение неосновных носителей от поверхности, снижая роль поверхностной рекомбинации и увеличивая эффективность собирания ННЗ, генерированных в базе фотонами с малой энергией. Дополнительно к этому в СЭ с тыльным барьером увеличивается напряжение холостого хода, что обусловлено возрастанием фототока и уменьшением обратного тока насыщения вследствие снижения рекомбинационного тока на тыльной поверхности. [43]
При низком уровне инжекции в однородно легированной базе с концентрацией акцепторов АглА Б электрическое поле отсутствует. При повышении уровня инжекции в базе возникает поле, ускоряющее электроны от эмиттера к коллектору. [44]
При высокой концентрации донора тушение его фосфоресценции в зависимости от концентрации акцептора не подчиняется уравнению Перрена. Эти результаты следует объяснить миграцией триплетного возбуждения от одной молекулы донора к другой и последующим переносом энергии к молекуле акцептора, оказавшейся рядом с возбужденной молекулой донора. [45]
Страницы: 1 2 3 4