Неравновесная концентрация
Cтраница 1
Неравновесные концентрации можно считать равными - число дополнительных, вызванных светом, электронов равно числу образовавшихся дырок. [1]
Неравновесные концентрации компонентов во встречных потоках определяются уравнениями материального баланса в виде уравнений рабочих линий. [2]
Неравновесные концентрации дырок на границах n - базы с переходами примерно равны между собой и, так же как избыточный заряд, экспоненциально уменьшаются со временем. [4]
Неравновесные концентрации остальных зависимых компонентов [ С03 - ], [ НСОд ] и [ своб. [5]
 |
Зависимость стационарной концентрации от давления при разных силах тока ( в ма. / - 50. 2 - 100. 3 - 150. 4 - 200. 5 - 300. 6 - 400 ( N2. 02l. 1. [6] |
Образование неравновесных концентраций как результат различия электронной и молекулярной температур является, по-видимому, общим явлением при химических процессах в низкотемпературной плазме. Совсем недавно [ И ] было показано, что при диссоциации СО2 в тлеющем разряде возникают также неравновесные степени диссоциации. [7]
 |
Зависимость стационарной концентрации от давления при разных силах тока ( в ма. / - 50. 2 - 100. 3 - 150. 4 - 200. 5 - 300. 6 - 400 ( N2. О21. 1. [8] |
Образование неравновесных концентраций как результат различия электронной и молекулярной температур является, по-видимому, общим явлением при химических процессах в низкотемпературной плазме. Совсем недавно [11] было показано, что при диссоциации СО2 в тлеющем разряде возникают также неравновесные степени диссоциации. [9]
 |
Четырехслойная структура с резкими р-п переходами.| Распределение неравновесных дырок в базе п я электронов в базе р - 2 четырехслой-ной структуры при низких уровнях инжекции. [10] |
Распределение неравновесных концентраций неосновных носителей в базовых слоях структуры имеет при этом вид, представленный на рис. 7.18. Штрихпунктирными линиями на этом рисунке выделены области объемных зарядов электронно-дырочных переходов. Толщины этих областей пренебрежимо малы по сравнению с толщинами соответствующих базовых и эмиттерных слоев структуры. [11]
Распределения неравновесных концентраций неоснов ных носителей в р - и n - областях полупроводника, изо - Сраженные на рис. 1.9, описываются так называемыми стационарными уравнениями непрерывности. [12]
При больших неравновесных концентрациях сильно понижаются как дрейфовый, так и рекомбинационный барьеры, что приводит к повышению проводимости и падению времени жизни на несколько порядков. [13]
При малых неравновесных концентрациях носителей ( небольших токах в светодиодах) рекомбинация через центры захвата будет преобладать над межзонной до тех пор, пока ловушечные уровни не будут достаточно заполнены. При этом значительное влияние на процессы рекомбинации оказывают не только глубина залегания и количество локальных центров рекомбинации, но и ширина запрещенной зоны полупроводника. Так, при уменьшении ширины запрещенной зоны вероятность межзонной излучательной рекомбинации возрастает. Сравнение экспериментальных и расчетных значений времени жизни для межзонной излучательной рекомбинации [1] указывает на достаточно хорошее совпадение только для полупроводников с малой шириной запрещенной зоны. Для полупроводников с большой шириной запрещенной зоны наблюдается существенное расхождение расчетных и экспериментальных данных. [14]
После того как неравновесная концентрация электронов у эмиттерного р - га-перехода j уменьшается до нуля, напряжение на этом переходе меняет знак и он смещается в обратном направлении. Далее за счет источника управления продолжается рассасывание носителей из р-базы. При этом электроны практически уже перестают поступать в неуправляемую га-базу, вследствие чего начинается уменьшение тока через структуру ( точнее, через р - га-переходы / 2 и / 3) с постоянной времени, равной времени жизни дырок в га-базе. [15]
Страницы: 1 2 3 4