Неравновесная концентрация

Cтраница 2

Плотность фототока определяется полными неравновесными концентрациями носителей и их подвижностями. [16]

Обозначим изменяющиеся во времени неравновесные концентрации веществ через С г, Сцг, CHI, а равновесные концентрации c t, CH, CHI - Скорость химической реакции в целом и каждом из направлений измеряется изменением концентрации одного из веществ, например 12 в единицу времени. Она зависит от числа молей реагирующих веществ в единице объема. Действительно, для того, чтобы реакция происходила, необходимым ( но не единственным) условием является столкновение молекул реагентов. Число столкновений за единицу времени будет тем больше, чем больше молекул содержится в единице объема, поэтому скорость реакции должна быть пропорциональна концентрации реагирующих. Это положение играет определяющую роль при выводе закона действия масс и служит его формулировкой для реакций, практически направленных в одну сторону. [17]

Эти уравнения, связывающие неравновесные концентрации НКК во встречных на одном уровне колонны потоках жидкости и пара, называются уравнениями концентраций отгонной колонны. [18]

В фотодиодном режиме используется неравновесная концентрация носителей заряда, возникающих в р-п-переходе вследствие светового облучения. Таким образом осуществляется прямое преобразование световой энергии в электрическую. [19]

Возбуждение полупроводника ( создание неравновесных концентраций носителей тока - электронов и дырок) может производиться различными способами: 1) при помощи сильного импульсного электрического поля. [20]

Подход к состоянию равновесия некоторой химической реакции. [21]

При этом кривые зависимости соотношения неравновесных концентраций веществ ( составлено аналогично выражению 5.2) от времени сходятся в точке, отвечающей ( по оси абсцисс) значению Кс для данной реакции. [22]

Активация диффузии определяется мгновенным значением неравновесной концентрации вакансий, количеством и скоростью выхода на поверхность элементов скольжения и увеличением подвижности атомов и дефектов структуры. [23]

Значение А, вычисляемое для произвольных неравновесных концентраций реагентов, служит мерой неравновесности системы, способной к химическому превращению. [24]

Появление в каком-то месте полупроводника неравновесной концентрации носителей заряда приводит к появлению градиента концентрации неосновных носителей и к перемещению этих носителей за счет диффузии в направлении, противоположном направлению градиента. [25]

Из рис. 7.18 видно, что неравновесные концентрации неосновных носителей, наибольшие на границах базовых слоев с эмиттерными переходами, уменьшаются в направлении к коллекторному переходу. Представленный на рис. 7.18 случай соответствует низким уровням инжекции в обеих базах структуры. В действительности на участке слаболегированной базы 1, прилегающем к переходу / ь уровень инжекции при / / я может быть средним или даже высоким. [26]

Отсюда видно, что при определении неравновесных концентраций реагирующих веществ, температуры и скорости образования окислов азота пульсации N в первом приближении можно не учитывать. [27]

Появление в каком-то локальной месте полупроводника неравновесной концентрации носителей заряда приводит к появлению градиента концентрации неосновные носителей и к перемещению этих носителей за счет диффузии в направлении, противоположном направлению градиента. [28]

Уравнения рабочих линий выражают связь межд неравновесными концентрациями встречных парового и ж щдастного потоков. При принятых допущениях эти уравнения представляют собой прямые линии. [29]

Примеры поверхностей потенциальной энергии, отвечающих протяжению исходных веществ ( а и отталкиванию продуктов ( 6, для экзотермической реакции ( движение изображающей точки начинается из горизонтального канала [ 1358а ]. [30]

Страницы: 1 2 3 4