Неравновесная концентрация
Cтраница 3
Это находится в прямой связи с неравновесными концентрациями атомов и радикалов, при участии которых происходит возбуждение электронных уровней. [31]
Очевидно, при Дп, Ар 0 неравновесная концентрация больше равновесной, а при An, Л / 7 0 - меньше равновесной. Процесс, приводящий к появлению свободных электронов или дырок, или тех или других носителей одновременно, называется процессом генерации носителей заряда, а обратный процесс, приводящий к исчезновению пары свободных электрона и дырки, - процессом рекомбинации носителей заряда. [32]
На расстояниях x3Lp от границы р-п перехода неравновесные концентрации практически совпадают с равновесными. Площадь, заштрихованная на рис. 2 - 7, прямо пропорциональна избыточному заряду дырок QpnB3 &, который. [33]
На расстояниях x3Lp от границы р-п перехода неравновесные концентрации практически совпадают с равновесными. Площадь, заштрихованная на рис. 2 - 7, прямо пропорциональна избыточному заряду дырок Qpnn36, который накапливается в п-областн. [34]
 |
Схема потоков в произвольном сечении верхней части десорбера. [35] |
Уравнение ( VI, 48) связывает неравновесные концентрации газа и жидкости в произвольном сечении десорбера и называется уравнением его рабочей линии. [36]
В данном случае неоднородность вызывается возможной зависимостью неравновесной концентрации носителей заряда от координаты. [37]
Действие радиации на кристалл создает в нем повышенную неравновесную концентрацию точечных дефектов, а также многие другие явления, из которых мы перечислим основные. [38]
Как следует из (III.108), соотношение между неравновесными концентрациями п и N во фронте будет иметь какой-то промежуточный характер между равновесным распределением и распределением по линейному соотношению Зельдовича. [39]
В базовой области устанавливаются при этом стационарные распределения неравновесных концентраций электронов и дырок. [40]
В частности, возбужденному состоянию полупроводника соответствует образование неравновесных концентраций свободных частиц: электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. [41]
При радиационно-термомеханической обработке роль облучения заключается в создании неравновесной концентрации точечных дефектов, а роль последующего отжига под нагрузкой - в направленном перераспределении дефектов решетки в энергетические выгодные положения. [42]
Поскольку отклонения от стехиометрического состава обычно являются следствием повышенной неравновесной концентрации вакансий или внедренных атомов, они сильно изменяют скорости диффузии. [43]
В частности, возбужденному состоянию полупроводника соответствует образование неравновесных концентраций свободных частиц: электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. [44]
Очевидно, при An, A / J 0 неравновесная концентрация больше равновесной, а при А / г, Д / 7 О меньше равновесной. Процесс, приводящий к появлению свободных электронов или дырок или тех или других носителей одновременно, мы будем называть процессом генерации носителей заряда, а обратный процесс, приводящий к исчезновению пары свободных электрона и дырки, - процессом рекомбинации носителей заряда. [45]
Страницы: 1 2 3 4