Высокая концентрация - примесь
Cтраница 1
Высокая концентрация примесей в р - и n - облаетях туннельного диода приводит к тому, что локальные уровни примесей образуют в вырожденных полупроводниках сплошную зону. Уровни Ферми полупроводников Ефр и Е п будут расположены соответственно в валентной зоне р-об-ласти и зоне проводимости - области. Энергетическая диаграмма p - n - перехода диода в состоянии равновесия показана на рис. 3.18, я, где заштрихованные области соответствуют уровням энергии, занятым электронами с наибольшей вероятностью. В состоянии термодинамического равновесия зона проводимости n - полупроводника и валентная зона р-полупроводника перекрываются по энергии на величину § ЕЕъ-Еп. Поэтому электроны из зоны проводимости - области могут туннелировать сквозь узкий переход в валентную зону р-области на свободные энергетические уровни, а электроны из валентной зоны р-области в зону проводимости - области на свободные уровни энергии. Суммарный ток через переход равен нулю. [1]
 |
Схемы установок для обезвреживания сточных вод, содержащих различные количества загрязнений ( универсальная установка ( а, большие количества загрязнений ( б и малые количества загрязнений ( в. [2] |
Высокая концентрация примесей исключает необходимость подогрева воды в теплообменнике, кроме пускового периода. [3]
Высокие концентрации примесей вредных веществ и их миграция в атмосферном воздухе приводят к образованию более токсичных соединений ( смог, кислоты) или к таким явлениям, как парниковый эффект и разрушение озонового слоя. [4]
Вследствие высокой концентрации примесей уровень Ферми в акцепторной р-области располагается внутри валентной зоны, а в донорной п-области - внутри зоны проводимости. Границы энергетических зон при образовании р-п перехода располагаются так, что потолок валентной зоны р-области см ещается выше дна зоны проводимости n - области; области кристалла разделяются узким запирающим слоем, обеспечивающим туннельные переходы между электронами. [5]
При высокой концентрации примеси iVD ( 5s 1019 см-3) перенос носителей через потенциальный барьер осуществляется туннелированием. [6]
 |
Энергетическая диаграмма р-п перехода с вырожденными слоями п - и р-типа при нулевом ( а, прямом ( б - д и обратном ( е смещении. [7] |
Из-за высоких концентраций примесей ширина р-п перехода получается около 10 нм. Перекрытие зон и чрезвычайно малая ширина перехода приводят к появлению аномалии в вольт-амперной характеристике, вызываемой квантово-механическим явлением-туннельным эффектом, который и определил название рассматриваемого прибора. [8]
 |
ВАХ и энергетические диаграммы туннельного диода при. [9] |
Следствием высокой концентрации примесей в прилегающих к p - n - переходу областях является, во-первых. [10]
 |
Схема установки жидкофазного окисления. [11] |
При высокой концентрации окисляющихся примесей ( более 10 % по данным [3] и более 20 % по данным [49]), когда теплота сгорания сточной воды приближается к энтальпии сухого насыщенного пара ( при давлениях 2 - 20 МПа она изменяется от 2 8 до 2 44 МДж / кг), существует опасность полного испарения жидкой фазы, прекращения процесса окисления примесей и образования отложений минеральных примесей в элементах аппаратуры. [12]
При высоких концентрациях примеси заметной величиной становится отклонение от ее среднего распределения. [13]
Структурные несовершенства, высокая концентрация примеси щелочных металлов и продуктов оксидирования приводят к высоким скоростям поверхностной рекомбинации. [14]
Но даже при высокой концентрации примесей ( свыше 1000 мкг / г) часто бывает необходимо применение стабилизаторов. [15]
Страницы: 1 2 3 4