Высокая концентрация - примесь
Cтраница 2
Следовательно, при высоких концентрациях примеси допустимые скорости роста могут оказаться слишком малыми. [17]
 |
Устройство высокочастотного сплавного диффузионного транзистора. [18] |
В дрейфовых транзисторах из-за высокой концентрации примесей в эмиттере и в базе у эмиттерного перехода этот переход получается очень узким, что, естественно, должно привести к увеличению барьерной емкости Сэ. Однако описанные технологические методы позволяют существенно уменьшить площади переходов, особенно эмиттерного перехода, и емкость Сэ бар в результате получается небольшой. [19]
 |
Эквивалентная схема туннельного диода, смещенного в область характеристики с отрицательным сопротивлением. [20] |
Хотя Rb мало из-за высоких концентраций примесей в объемных областях, оно тем не менее не равно нулю. Это означает, что выше частоты отсечки fc у диода отсутствует отрицательное сопротивление и что он тогда не усиливает. [21]
Поскольку обычно трудно достигать высоких концентраций примесей ( величина порядка 1 016 см 3, является типичным практическим пределом для примесей, о которых идет речь)), то коэффициенты поглощения имеют низкие значения и обычно на практике образец монтируется в собирающую полость для многократного отражения на детектор излучения, которое не поглотилось первоначально Очень высокий уровень легирования может быть нежелательным из-за возможности образования примесных зон. [22]
Если используется исходный полупроводник с высокой концентрацией примеси ( низкоомный), то р-и-переход будет узким и наблюдается туннельный пробой. [23]
Предложена система очистки газа с высокой концентрацией примесей ( N2, ССЬ), например азотоводородной смеси, используемой на заводах синтеза аммиака, во всем интервале температур 290 - 20 К. Очистка производится главным образом в реверсивных теплообменниках. Вычисления показывают, что потери холода, обусловленные применением сдвоенных переключающихся теплообменников, в данном случае благодаря очень низкой удельной теплоемкости металлов вблизи 20 К не слишком велики. Обсуждаются преимущества пластинчато-ребристых теплообменников, особенно при температурах ниже 63 К. [24]
Термическое дожигание применяют главным образом при высокой концентрации примесей ( превышающей пределы воспламенения) и значительном содержании в газах кислорода. [25]
При очистке больших количеств газа и высоких концентрациях примесей ( N2 и СО) целесообразно применять для их удаления метод вымораживания в переключающихся теплообменниках. [26]
Для получения малых емкостей коллекторного перехода при высокой концентрации примесей в базе и малых рабочих напряжениях площадь коллекторного перехода приходится уменьшать до минимума. В результате допустимые мощности рассеивания на коллекторе оказываются очень небольшими, порядка 25 - 50 мет. [27]
 |
Принципиальная схема каталитической очистки газов. [28] |
Если термическое сжигание применяется главным образом при высокой концентрации примесей и значительном содержании в газах кислорода при температуре 800 - 1100 С, то при каталитическом методе окисления температура не превышает 250 - 300 С. [29]
По схеме б часть маточного раствора из-за высокой концентрации примесей отводят из системы, а другую - возвращают в процесс. Вследствие отвода части маточного раствора уменьшается выход продукта. [30]
Страницы: 1 2 3 4