Высокая концентрация - примесь
Cтраница 3
 |
Электронно-дырочный переход на границе полупроводников с высокой концентрацией примесей в состоянии равновесия. [31] |
Вследствие этого уровень Ферми в д-полупроводниках с высокой концентрацией примесей лежит выше уровня Ес, а в р-полупро-водниках ниже уровня Ev. Таким образом, частицы в п - и р-полупроводника х с энергетическими состояниями в пределах интервала & Е разделены узким ( /) и высоким ( рк) потенциальным барьером. В валентной зоне р-полупроводника и в зоне проводимости п-полупроводника часть энергетических состояний в интервале АЕ свободна. Следовательно, через такой узкий потенциальный барьер, по обе стороны которого имеются незанятые энергетические уровни, возможно туннельное движение частиц. [32]
Туннельные диоды изготовляют из полупроводниковых материалов с высокой концентрацией примеси, называемых вырожденными полупроводниками. [33]
Туннельный диод отличается от других диодов с р-п-перехо-дами высокой концентрацией примесей, благодаря чему запирающий слой у него становится очень тонким. Это приводит к появлению туннельного эффекта прохождения носителей тока через р-п-переход. [34]
Туннельный эффект возникает при осуществлении контакта полупроводников с высокой концентрацией примесей. [35]
Некоторое уменьшение степени извлечения ОП-7, наблюдающееся при высоких концентрациях примесей, объясняется тем, что пена обогащается низкомолекулярным органическим веществом, которое не образует устойчивой пены, а происходящее при этом уменьшение концентрации извлекаемого вещества в пене приводит к потере ее устойчивости. Следует заметить, что молекулы ОП-7 в пленках пены сильно разбавлены молекулами воды. Естественно поэтому предположить, что далеко не вся вода, входящая в состав пленок пены, связана с молекулами ОП-7. Действительно, по данным Элворти и Флоренса [154], количество молекул воды, приходящихся на одну молекулу вещества с 9 оксиэфирными группами, равно - 13, что соответствует концентрации - 4 моль / л ПАВ в пенном продукте. [36]
Вырождение полупроводников проявляется при достаточно низких температурах и высоких концентрациях примеси. [37]
 |
Структура сплавного ( о и планарного ( б n - p - п транзистора. Вверху показана только часть топологии структуры. [38] |
После проведения операций вплавления образуются сильнолегированные рекристаллизованные области полупроводника с высокой концентрацией примеси, равно предельной растворимости примеси в полупроводнике. Например, для создания n - p - п сплавного кремниевого транзистора используется вплавление электродного сплава, содержащего мышьяк. Концентрация донорной легирующей примеси мышьяка в я - слоях эмиттера и коллектора составляет примерно 1020 - 1021 см-3. Распределение легирующих примесей в пределах эмиттера, базы и коллектора практически равномерное. Из-за неоднородности фронта вплавления металла с помощью сплавления трудно создать транзистор большой площади ( более 0 1 см2) и толщиной базы w менее 20 - 30 мкм. [39]
Есаки туннельный диод изготовляется из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примесей ( 1019 - 1020 см 3), т.е. с очень малым удельным сопротивлением, в сотни или тысячи раз меньшим, чем в обычных диодах. Такие полупроводники с малым сопротивлением называют вырожденными. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике получается в десятки раз тоньше ( 10 6 см), чем в обычных диодах, а потенциальный барьер примерно в два раза выше. В обычных полупроводниковых диодах высота потенциального барьера равна примерно половине ширины запрещенной зоны, а в туннельных диодах она несколько больше этой ширины. [40]
Сопротивление эмиттерной области обычно пренебрежимо мало по сравнению с сопро-тивлением базы из-за высокой концентрации примесей. [41]
Туннельные диоды отличается тем, что в них используется полупроводниковый кристалл с высокой концентрацией примесей - концентрация доноров в / г-об-ласти в тысячи раз выше, чем у обычных диодов. Этим и обусловливаются существенное отличие прохождения тока ( через переход) и особенность вольт-амперной характеристики туннельного диода. Возникновение тока в тонком р - n - переходе определяется двумя процессами: туннельным эффектом и диффузией. Туннельный эффект заключается в том, что благодаря волновым свойствам, присущим электрону, существует некоторая вероятность перехода электрона через потенциальный барьер р - n - перехода без потери энергии. [42]
ПРЗА позволяют получить информацию об источниках, дающих наибольший вклад в точках с высокими концентрациями примеси. [43]
Используемая модель неприменима для описания обогащенных слоев при более высоких температурах или при высоких концентрациях примеси в объеме полупроводника, когда энергия связи примеси стремится к нулю. [44]
Крупнозернистая структура слитков, уменьшая величину поверхности границ на единицу объема, служит причиной высокой концентрации примесей по границам, что приводит к охрупчиванию литого металла. [45]
Страницы: 1 2 3 4