Большая концентрация - дефект
Cтраница 1
 |
Зависимость запасенной энергии в кристаллах щелочноземельных фторидов от поглощенной дозы у-излучения. [1] |
Большая концентрация дефектов в CaF2 свидетельствует о более значительных нарушениях его кристаллической решетки, чем SrF2 и тем более BaF2, что в свою очередь сопровождается более сильным изменением ряда свойств CaF2 под действием радиации - микротвердости, запасенной светосуммы, оптического поглощения. [2]
Большая концентрация дефектов решетки может быть вызвана действием высокоэнергетической радиации; под влиянием образующихся донорных и акцепторных уровней электрические характеристики материала могут сильно изменяться. [3]
Из-за большой концентрации дефектов и сегрегированных примесей на границе зерен и наличия локальных электрических полей, собирающих неосновные носители, межзеренные границы являются областями повышенной рекомбинации. Снижение значений основных характеристик солнечного элемента Jsc, Voc и / / за счет рекомбинации на этих границах сильно зависит от размера кристаллитов в поликристаллических слоях. На фотографии, полученной в режиме наведенного тока, электрически активные границы зерен выглядят темными. [5]
 |
Схемы краевой ( а и винтовой ( б дислокаций. [6] |
Лишь при больших концентрациях дефектов в облученных металлах понижается пластичность и заметно изменяются другие свойства. [7]
Все это позволяет сделать вывод о большой концентрации метастабильных дефектов структуры в свеженанесенной резистивной пленке. Таким образом, пропускание тока через резистор приводит к изменению его сопротивления во время тренировки ( в данном случае напыления) и к стабилизации его свойств при старении. [8]
Систематические различия между рэ и рв могут быть вызваны присутствием большой концентрации дефектов, но эти случаи сравнительно редки. Во многих случаях простейшая химическая формула соединения не соответствует его стехиометри-ческой формуле. Отклонение Z от целого числа может объясняться и статистическим заполнением одной правильной системы точек атомами разного сорта. [9]
Эти два механизма диффузии наиболее вероятны в реальных кристаллах с большой концентрацией дефектов. [10]
Плотность центров конденсации в этом случае больше, но в результате большей концентрации закаленных дефектов вероятность образования более сложных дефектов во время старения значительно увеличивается, так что концентрацию дивакансий ( или тривакансий) уже нельзя считать незначительной. Мгновенная равновесная концентрация дивакансий зависит, конечно, от их энергии связи, первоначальной концентрации дефектов и времени их жизни. [11]
Зонные диаграммы контакта полупроводник - металл могут существенно измениться, если между контактирующими материалами имеется тонкая пленка окисла или переходный слой с большой концентрацией дефектов. [12]
Высокоскоростное пластическое деформирование, порождаемое ударными волнами, генерирует неравновесное объемное сжатие поверхностного слоя металлов и сплавов и сопровождается генезисом напряженного состояния высокого градиента и образованием развитой субструктуры с большой концентрацией дефектов кристаллической структуры. В этих условиях переходы HS - LS-режимов в динамике структур соответствуют условиям неустойчивого равновесия, при которых система становится высокочувствительной к малым флуктуациям. Поэтому в системе легко достигаются условия нелинейного резонанса и система переходит в состояние неустойчивого режима. [13]
Настоящее исследование было предпринято, во-первых, для выяснения возможности различения между двумя типами дефектов при высоких температурах путем использования результатов измерения постоянной решетки бромистого серебра, во-вторых, для проверки значения постоянной решетки, полученного Вагнером и Байером [4], и, в-третьих, для проверки предположения Лоусона, что коэффициент расширения бромистого серебра вблизи точки плавления аномален в том смысле, что увеличение объема кристалла частично обусловлено образованием структурных дефектов. Довольно большая концентрация дефектов ( около 2 % [7]) вблизи температуры плавления бромистого серебра позволяет без труда исследовать эту область методом диффракции рентгеновских лучей. [14]
Когда концентрация дефектов в кристалле невелика, отдельные дефекты удалены друг от друга и их взаимным влиянием можно пренебречь. При больших концентрациях дефектов расстояния между соседними дефектами невелики и можно ожидать частичного перекрытия областей локального искажения энергетического поля кристалла, связанных с образованием точечных дефектов. Любое взаимодействие, если оно осуществляется в системе частиц ( например, в кристалле), стремится привести систему в некоторое упорядоченное состояние, при котором позиции атомов и дефектов будут обусловлены требованием минимума энергии. [15]
Страницы: 1 2 3