Большая концентрация - дефект
Cтраница 2
Были сделаны попытки экспериментально определить пределы растворимости, исходя из электрических измерений кристалла, насыщенного дефектами. Было бы желательно более детально рассмотреть проблемы больших концентраций дефектов, учитывая одновременное присутствие нейтральных и ионизованных дефектов и независимость между концентрациями атомных и электронных дефектов. [16]
Современная модель структуры ориентированного материала основана на работах Бонарта и Хоземана [18], Бересфорда и Биве-на [10], Фишера и Годдара [33], Петерлина [96] и Балта Калеха и др. [3] ( см. также [16] и разд. Волокно представляет собой почти гомогенную кристаллическую матрицу с большой концентрацией дефектов. Исследование поверхностей разлома под электронным микроскопом свидетельствует о наличии в образцах фибрилл диаметром около 100 А. Более тонкие детали структуры остаются невидимыми. Дефекты включают в себя складки цепей, реснички, проходные участки молекул и концы цепей. Типичная картина рассеяния приведена на рис. 7.22. Меридиональное рассеяние отвечает размеру кристалла вдоль оси цепи, а экваториальное рассеяние свидетельствует о фибриллизации. Объем кристаллической области может быть измерен на основании комбинированного изучения дифракции рентгеновских лучей под большими и малыми углами ( разд. Конечные размеры во всех направлениях составляют 100 - 200 А. Такая форма кристаллитов не является равновесной ( разд. Таким образом, основные эффекты, которых можно ожидать в результате отжига ориентированных материалов, должны заключаться в переходе к более вытянутым кон-формациям ( разд. [17]
Поэтому в гетеролазерах отпадает необходимость применять сильное легирование, которое сопровождается появлением в активной области большой концентрации дефектов. [19]
Это весьма существенно для экспериментов, когда локализация примесей в решетке определяется методом каналирования, поскольку при больших концентрациях дефектов определение каналов в кристалле затруднено. Основные результаты исследований показаны на рис. 3.30. Атомы элементов групп Ilia, IVa, Va, относящиеся в кремнии к акцепторам, донорам и изоэлект-ронным примесям, оказались преимущественно локализованными в узлах решетки, т.е. так же, как и в условиях термодинамически равновесного введения. Для этих примесей замещенная компонента составила 30 и 40 % соответственно. Среди других примесей только цирконий ( 1Ув), таллий ( Ув) и ванадий ( У1в) занимают преимущественно тетраэдрическое положение, в то время как остальные атомы элементов периодической системы предпочитают октаэдрические и другие более сложные междоузельные положения. Следовательно, несмотря на сравнительно высокую концентрацию примесей в имплантированных ионами системах, местоположение примесных атомов определяется в основном их электрохимическими свойствами. [20]
Рекристаллизацией называется процесс, ведущий к уменьшению общей и поверхностной энергии кристаллической массы без уменьшения подвижности кристаллов друг относительно друга. Уменьшение потенциальной энерии кристаллической массы происходит за счет процессов, протекающих внутри кристаллов, - переноса вещества из областей с большей концентрацией дефектов в области с меньшей их концентрацией, или за счет переноса вещества от мелких частиц порошка к более крупным, что ведет к уменьшению общей поверхности твердого тела. Механизм такого переноса в порошках может быть различным. Если вещество нелетуче ( давление его насыщенного пара в условиях опыта пренебрежимо мало), то перенос может происходить путем перемещения вещества диффузией в объеме или по поверхности зерен в направлении к областям контакта зерен. Последние в энергетическом отношении аналогичны вогнутому мениску, где силы, действующие на частицы, находящиеся на поверхности, больше сил на выпуклом мениске. [21]
Тц) дается ф-лой ( 7) е А1 р - уд. Следует отметить, что и / порядка ttjjl сравнивается по порядку величины с и при концентрации дефектов - песк. При больших концентрациях дефектов ( - десятков %) и может достигать величии - песк. [22]
При 1148 С и в интервале изменения давления кислорода от 0 0055 до 1 атм скорость окисления кобальта, как оказалось, пропорциональна давлению кислорода в степени 0 29, что близко соответствует величине 0 30, характеризующей скорость диффузии ионов Со2 в закиси кобальта СоО ( см. гл. Андерсон в своей трактовке теории Вагнера применительно к большой концентрации дефектов учитывает взаимодействие последних друг с другом. [23]
В противном случае неверны либо рэ, либо /, т.е. неправильно выполнено индицирование. Систематические различия между j R и Оэ могут быть вызваны присутствием большой концентрации дефектов, но эти случаи сравнительно редки. Во многих случаях простейшая химическая формула соединения не соответствует его стехиометрической формуле. Отклонение Z от целого числа может быть объяснено и статистическим заполнением одной правильной системы точек атомами разного сорта. [24]
При высоких температурах роста, когда преобладает упорядоченность, подвижность возрастает. Кроме того, существенное влияние оказывает топография сколотой грани. Как и следовало ожидать, в пленках, нанесенных на поверхность с большой концентрацией дефектов, подвижность падает. Холоуэй и Земел V не обнаружили связи между полушириной рентгеновской линии от пленки сульфида свинца в пределах до 20 угловых минут и подвижностью носителей в пленке при комнатной температуре, что согласуется с данными Скэнлона2 для монокристаллов PbS. Это не удивительно, поскольку небольшая угловая разориентация мозаичных блоков, составляющих пленку, не должна приводить к существенному увеличению рассеяния свободных носителей при комнатной температуре. При больших же углах между блоками рассеяние на их границах может оказаться значительным. В целом, несмотря на мозаичный характер, структура пленки PbS весьма совершенна, как это видно из фиг. [25]
Вследствие наличия легирующих элементов, повышающих устойчивость аустенита, эти стали чувствительны к скорости охлаждения. К тому же малоуглеродистый игольчатый мартенсит, или бейнит-структура, более пластичен. Все же, поскольку эти структуры обладают пониженной проницаемостью для водорода, диффундирующий из шва водород скапливается на границах зерен, имеющих неупорядоченное строение с большей концентрацией дефектов и искажений, и создает дополнительные микронапряжения, способствующие появлению холодных трещин. Уменьшение скорости охлаждения в околошовной зоне, как и средства по снижению количества растворенного в металле сварочной ванны водорода, позволяют получить стойкий в отношении холодных трещин металл. [26]
Параметры первых типов арсенид-галлиевых выпрямительных диодов, выпускаемых промышленностью, еще далеки от оптимально возможных Так, арсенид-галлиевые диоды типа АД112А рассчитаны на максимально допустимый прямой ток 300 мА при прямом напряжении не более 3 В. Прямое напряжение велико, что является недостатком вообще всех выпрямительных диодов, p - n - переходы которых сформированы в материале с большой шириной запрещенной зоны. Максимально допустимое обратное напряжение диодов этой марки - всего 50 В. Низкое значение пробивного напряжения и соответственно максимально допустимого обратного напряжения вызвано, вероятно, большой концентрацией дефектов в области р-я-перехода. [27]
Как было показано на рис. 2.4.10, гауссово и экспоненциальное распределения ловушек в определенном диапазоне напряжений дают сходные картины. Поэтому для экспоненциального распределения важно, чтобы показатель степени / в уравнении (2.7.1.21), описывающем У - / - характеристику, сохранялся постоянным в широком диапазоне напряжений. Этот диапазон должен простираться до достижения области предельного заполнения ловушек. Наконец, / должно быть постоянной величиной при определении соотношения d ( nJ) / d ( nL); в монокристаллах данное соотношение трудно проверить экспериментально; это легче сделать в напыленных в вакууме слоях. Однако напыленные слои имеют другие недостатки, связанные с большой концентрацией дефектов. [29]
Параметры первых типов арсенид-галлиевых выпрямительных диодов, выпускаемых промышленностью, еще далеки от оптимально возможных. Так, арсенид-галлиевые диоды типа АД112А рассчитаны на максимально допустимый прямой ток 300 мА при прямом напряжении не более 3 В. Прямое напряжение велико, что является недостатком вообще всех выпрямительных диодов, p - n - переходы которых сформированы в материале с большой шириной запрещенной зоны. Максимально допустимое обратное напряжение диодов этой марки - всего 50 В. Низкое значение пробивного напряжения и соответственно максимально допустимого обратного напряжения вызвано, вероятно, большой концентрацией дефектов в области р-п-перехода. [30]
Страницы: 1 2 3