Корпус - транзистор
Cтраница 1
 |
Зависимость статического коэффициента передачи тока от плотности тока коллектора при высоких уровнях инжекции в базе транзистора.| Сечение эмиттер-ной полоски силового транзистора. [1] |
Корпус транзистора выбираем, исходя из площади структуры с учетом требуемой средней мощности рассеивания РСр. Рассмотрим в качестве примера расчет площади структуры транзистора с параметрами, приведенными выше. [2]
 |
Конструкция корпуса транзистора РТ3690, герметизированного с помощью пластмассы. [3] |
Корпус транзистора 2N3375 ( корпус типа ТО-60) аналогичен рассмотренному в гл. ТО-63 ( см. рис. 4 - 12), но имеет меньшие габариты. Основание корпуса представляет собой медный болт. На верхнюю плоскость головки болта твердым припоем напаяна пластина из бериллиевой керамики. Как уже отмечалось в § 4 - 1, уникальные свойства керамики на основе окиси бериллия заключаются в сочетании хороших электроизолирующих свойств с теплопроводностью, почти равной теплопроводности алюминия. [4]
Корпуса транзисторов П5 - П5Е стеклянные с о. [5]
 |
Плоскостные германиевые диоды. [6] |
Корпуса транзисторов малой мощности крепят на монтажной плате обычно специальным клеем. [7]
С корпуса транзистора перед тем, как он будет зажат зажимом, нужно удалить краску. Транзистор помещается над центром отверстия в металлической пластине, а в сосуд аппарата заливается 20 % - ная соляная кислота так, чтобы корпус транзистора касался ее поверхности. Затем к металлической пластине подключается плюс источника постоянного тока, а к зажиму - минус. [8]
Температура корпуса транзистора измеряется на поверхности основания корпуса со стороны держателя. [9]
 |
Система координат для анализа цилиндрического стакана ( корпус транзистора. [10] |
Виды корпуса транзистора сбоку и сверху показаны на рис. 5.5, там же приведена используемая система координат. [11]
Температура корпуса транзистора измеряется на поверхности основания корпуса со стороны держателя. [12]
Крепление корпуса транзистора к несущей монтажной плате должно осуществляться также и в случае полной заливки схемы компаундами, пенопластами и пенорезиной во избежание образования внутренних постоянных механических напряжений. [13]
 |
Транзистор П212 ( а и рабочий инструмент для его герметизации ( б. [14] |
В корпусе транзистора фланец ножки / изготовлен из бескислородной меди и имеет толщину свариваемого буртика 0 6-о о8 мм, а баллон 2 изготовлен из стали 10 и имеет толщину буртика 0 6 о о5 мм. После сварки толщина металлов в месте сварки должна составлять 0 17 о о5 мм. В корпусе транзистора ГТ108 коваровый фланец ножки имеет толщину буртика под сварку 0 3 о оз мм. Толщина сваренных металлов для данного корпуса должна быть 0 15-о оз мм. Следует отметить, что корпус транзистора П212 герметизируют двусторонней холодной сваркой. В этом случае деформации подвергаются оба свариваемых металла корпуса. [15]
Страницы: 1 2 3 4