Корпус - транзистор
Cтраница 2
 |
Вид спектра частот выходного сигнала при измерении коэффициента комбинационных составляющих методом двухтонового сигнала. [16] |
Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба вывода при формовке должно быть не менее 2 мм, если в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное. [17]
Тепловое сопротивление корпус транзистора - радиатор RfK. [18]
Качественное соединение корпуса транзистора с теллоот-водом достигается шлифовкой поверхности теплоотвода, смазкой места соединения специальной мастикой или невысыхающим маслом. [19]
Для удаления корпусов транзисторов применяется электрохимический аппарат ( фиг. [20]
Для изоляции корпуса транзистора от теплоотвода применяют различные прокладки, которые должны сочетать хорошие изоляционные и теплопроводные свойства. Для этой цели применялись слюдяные прокладки, но они хрупки и имеют низкую теплопроводность. [21]
 |
Теплоотвод, выполненный склеиванием пластин. [22] |
Зависимость температуры корпуса транзистора от рассеиваемой мощности для двух положений теплоотвода: / - горизонтальное; 2 - вертикальное. [23]
При герметизации корпуса транзистора ГТ108 применяют одностороннюю холодную сварку. В этом случае деформации подвергают металл фланца ножки и значительно меньше деформируют фланец баллона. Возникающие при холодной сварке деформирующие фланец усилия гасятся предусмотренной в нем кольцевой канавкой. Такая конструкция фланца предохраняет стеклянные изоляторы от растрескивания и потери герметичности. [24]
Проверить нагрев корпуса транзистора VT2, если он заметен, то через транзистор идет большой ток. Нагрев трансформатора Т2 указывает на межвитко-вые замыкания в нем. [25]
Для удаления корпусов транзисторов применяется электрохимический аппарат ( фиг. [26]
Верхняя часть корпуса транзистора осторожно спиливается лобзиком, а затем поверхность кристалла очищается от попавших на нее металлических опилок. [27]
Внешняя поверхность корпуса транзистора значительно меньше поверхности радиатора, и поэтому долю тепла, рассеиваемого в пространство самим транзистором, можно не учитывать. [28]
 |
Конструкция маломощного плоскостного транзистора. [29] |
Маркировка наносится на корпус транзистора и содержит товарный знак завода-изготовителя, марку транзистора, месяц и год его выпуска. [30]
Страницы: 1 2 3 4