Cтраница 3
Допускается пайка фланца корпуса транзистора к теплоотводу. Температура пайки не более 150 С, время пайки 1 мин. [31]
Конструктивные схемы транзисторов. [32] |
Из-за малых размеров корпуса транзистора тепловое сопротивление Rc между ним и окружающей средой значительно превышает все другие сопротивления и при расчетах им можно пренебречь. [33]
Вычислим температуру перегрева корпуса транзистора над температурой окружающей среды. [34]
Тк - температура корпуса транзистора, определяемая на основании теплотехнического расчета или экспериментальным путем. [35]
Необходимо помнить, что корпуса транзисторов в конечном счете имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них транзисторами рекомендуется покрывать лаком не менее трех слоев. [36]
После удаления кристалла из корпуса транзистора его заливают смолой и шлифуют на охлаждаемых водой абразивных камнях различной зернистости. Затем отшлифованная поверхность протравливается и ее структура рассматривается в микроскоп. Микрофотографии поверхности перехода сравниваются с микрофотографиями переходов других отказавших транзисторов с аналогичными электрическими характеристиками. Если окажется, что отказ является результатом отклонений технологического процесса, то об этом сообщают поставщику, который должен принять корректировочные меры. [37]
Необходимо помнить, что корпуса транзисторов в конечном счете имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них транзисторами рекомендуется покрывать лаком не менее трех слоев. [38]
Достаточно сказать, что корпус транзистора, служащий для предохранения от механических повреждений и вывода соединений, в сотни раз превышает сам полупроводниковый кристалл, а стоимость такого корпуса лишь немного уступает стоимости корпуса интегральной схемы, содержащей десятки элементов. [39]
После удаления кристалла из корпуса транзистора его заливают смолой и шлифуют на охлаждаемых водой абразивных камнях различной зернистости. Затем отшлифованная поверхность протравливается н ее структура рассматривается в микроскоп. Микрофотографии поверхности перехода сравниваются с микрофотографиями переходов других отказавших транзисторов с аналогичными электрическими характеристиками. Если окажется, что отказ является результатом отклонений технологического процесса, то об этом сообщают поставщику, который должен принять корректировочные меры. [40]
Радиатор для транзисторов се.| Радиатор из хрупкого металла. [41] |
Если не требуется изолировать корпус транзистора от корпуса прибора, то радиатор можно крепить на стенке корпуса прибора или на внутренней перегородке без изолирующих прокладок, что обеспечивает более эффективную теплоотдачу. [42]
Следует учесть, что корпус транзистора VTo соединен с его коллектором, поэтому контакт корпуса с соседними элементами и перемычками недопустим. Так как выходной каскад при отсутствии сигнала не потребляет тока, его проверяют временным подсоединением громкоговорителя, переменного резистора RP5 и батареи напряжением 9 В. [43]
Например, при изготовлении корпуса транзистора КТ802А из ковара уменьшается высота детали и перераспределяется металл по ее объему. При изготовлении фланцев транзисторов ГТ313, КТ802А происходит перераспределение металла, по высота детали по сравнению с заготовкой не изменяется. [44]
В этом аппарате верх корпуса транзистора может быть удален за пять минут без повреждения кристалла. Металлическая пластина и зажим должны быть позолочены для предотвращения коррозии при длительном воздействии на них кислоты. [45]