Коэффициент - запирание
Cтраница 1
Коэффициент запирания, таким образом, может иметь широкий диапазон значений. Максимальное значение К зависит от многих факторов, в частности от геометрических и электрофизических параметров слоев структуры, тока через структуру, ее температуры, анодного напряжения и др. С учетом вышесказанного рассмотрим в этой главе коэффициент запирания более детально, отметив при этом, что теоретические рассуждения касаются, в основном, максимальных значений К. [1]
Одним из основных параметров запираемых тиристоров является коэффициент запирания. [3]
Сказанное выше остается справедливым и для выражения коэффициента запирания, найденного еще в [48] для одномерной модели. Уменьшение эффективной диффузионной длины описывает тот факт, что часть неосновных носителей вместо того, чтобы двигаться к центральному р - л-переходу, уходит через боковые стенки токового шнура, а фактический коэффициент передачи при этом падает, что в конечном итоге приводит к выключению структуры. [4]
Задавая режим измерения тока / СПр и коэффициента запирания Взап, необходимо учитывать зависимость этих параметров от сопротивления нагрузки ( тока анода) прямого напряжения на закрытом тиристоре [ / Пр и от температуры. [5]
Основным параметром, определяющим степень неодномерности запирания, является коэффициент запирания. Получение высоких значений коэффициента запирания ( порядка нескольких десятков) может существенно уменьшить неблагоприятное влияние неодномерных-процессов и расширить диапазон токов и напряжений запираемых тиристоров. Эта цель может быть достигнута за счет оптимизации конструкции р-п-р-я - структуры с точки зрения выбора профилей легирующих примесей, толщин базовых областей ( особенно узкой базы) и диффузионных длин неосновных носителей в них. [6]
Время выключения тиристора уменьшается с увеличением скорости нарастания запирающего тока, но коэффициент запирания при этом падает, что увеличивает требуемую для выключения амплитуду отрицательного тока управления. Таким образом, индуктивность контура запирания должна быть оптимизирована между требуемой скоростью процесса выключения и экономичностью выходного узла драйвера, определяемой токовой нагрузкой его элементов. [7]
В заключение следует заметить, что принятый, по аналогии с транзисторами, коэффициент запирания К как отношение анодного и базового токов недостаточно полно характеризует эффективность управления запираемыми тиристорами. Действительно, в отличие от транзисторов даже при большой амплитуде импульса тока управления в силу малой его длительности энергия управления может быть незначительной по сравнению с коммутируемой. Этим запираемые тиристоры существенно и выгодно отличаются от мощных транзисторов, особенно при низких частотах коммутации. Видимо, для более полной характеристики эффективности управления запираемыми тиристорами и для более точного расчета цепей управления было бы целесообразным ввести коэффициент эффективности, учитывающий не только амплитуду импульса тока, но и его длительность. [8]
Геометрические размеры структуры и сжатие в шнур токо-проводящей области при включении оказывают влияние на коэффициент запирания. Это влияние проявляется в следующем. [9]
 |
Зависимость амплитуды переключаемого тока от частоты следования анодных импульсов для трех значений тока управления. / - 1460 мА, 2 - 400 мА, 3 - 200 мА, 4 - среднее значение тока. [10] |
Из таблицы видно, что в таком режиме возрастает не только выключаемый ток, но и коэффициент запирания. [11]
 |
Схема вихревого усилителя и общий характер распределения статического давления в вихревой камере.| Характеристики вихревого усилителя. [12] |
Работа вихревого усилителя в предельном случае, когда происходит запирание канала питания, может быть охарактеризована коэффициентами запирания по расходу и давлению. [13]
Для обычных структур GTO этот вариант не подходит, так как неограниченная скорость нарастания обратного тока в электроде управления уменьшает коэффициент запирания. [14]
Детальное исследование процесса шнурования тока в тиристорах, выключаемых по управляющему электроду, его зависимости от характера распределения примесей в базовых слоях, от величины коэффициента запирания и от геометрии эмиттера и электрода управления должны привести к созданию запираемых тиристоров на токи порядка десятков ампер и напряжения порядка нескольких сотен вольт. [15]
Страницы: 1 2 3