Коэффициент - запирание
Cтраница 3
Из предыдущих глав известно, что при подаче тока управления выключение тиристора начинается тогда, когда из-за снижения тока через эмиттерный переход и вывода носителей заряда из баз нарушается равновесие между накоплением и рассасыванием носителей в сторону последнего процесса. Естественно, что существует некоторый минимальный критический ток управления, при превышении которого начинается выключение. При увеличении тока управления выше критического значения выключение существенно ускоряется, однако коэффициент выключения при этом снижается. Так как ускорение процесса выключения является одной из возможностей предотвращения шнурования тока в структурах с большой рабочей площадью, то выключать их приходится током, значительно превышающим критический. Это, как будет показано ниже, является одной из основных причин снижения коэффициента запирания мощных тиристоров. [31]
 |
Зависимость К. от WpILn ( а и от Wn / L ( б для различных значений плотности анодного тока. / - / 400 А / см2 2 - 200 А / см2. 3 - 100 А / см2. 4 - 10 А / см2. [32] |
На рис. 5 - 3, б приведены аналогичные зависимости, рассчитанные для разных значений параметра Wn / L. Wn / L слабее зависит от режима работы. Характерно, что с увеличением Wp / Ln зависимость К / ( / а) нарастает круче. На рис. 5 - 4, а и б построены расчетные значения К в зависимости от Wp / Ln и Wn / L для разных токов. Хорошо видно, что существенный выигрыш по коэффициенту запирания можно получить лишь при больших плотностях тока и при значениях Wp / Ln, превышающих 0 77, в го время как увеличение W / L приводит к практически линейному возрастанию К при всех значениях плотности тока. [33]
Модуляция сопротивления п - области тиристора инжектированными носителями как со стороны затвора ( для нормально закрытых структур), так и со стороны анодного р - л - - перехода приводит к появлению в данном слое обоих типов носителей. Действительно, в структуре SITh при прямом смещении анодного и обратном - управляющего переходов можно выделить биполярный р-л-р-транзис - тор, соединенный с л-канальным полевым транзистором. Динамические характеристики выключения при этом определяются временем жизни дырок в эпитаксиальном п - - слое. Однако чрезмерное уменьшение времени жизни приводит к увеличению остаточных напряжений на открытой структуре. Поэтому оптимальное сочетание коммутационных и статических потерь является актуальным для индукционного тиристора. Эффект коллектирования дырок и рассасывания накопленного заряда всегда сопровождается протеканием относительно большой амплитуды отрицательного тока по цепи затвора тиристора. Для характеристики этого процесса, как и в GTO, используют коэффициент запирания по току. Этот параметр близок к единице для большинства структур SITh. Качественно процесс протекания отрицательного тока в цепи затвора тиристора не отличается от рассмотренного ранее транзисторного варианта, за одним исключением. [34]
Страницы: 1 2 3