Коэффициент - запирание
Cтраница 2
 |
Вихревой усилитель с рассредоточенной симметричной подачей потока питания и двумя выходами.| Способы организации потока на выходе из усилителя. [16] |
Для выходов, выполненных в виде отверстий, было обнаружено, что уменьшение высоты камеры от 3 05 до 1 78 мм при диаметре двух выходных сопел da 7 9 мм и диаметре камеры D 76 2 мм коэффициент запирания по расходу Л рз увеличивается. Однако при малых высотах камеры резко возрастает уровень шумов и появляется гистерезис. Такой же эффект наблюдается при уменьшении сечения сопел управления. [17]
 |
Типичные зависимости для коэффициента запирания ( температура перехода 100 С. [18] |
Это означает, что время рассасывания, или время выключения, растет с ростом анодного тока / а. Зависимость коэффициента запирания при импульсном управлении k от / а принципиально не отличается от зависимости для постоянного тока управления с той лишь разницей, что при малых длительностях управляющего ( запирающего) импульса наблюдается снижение k по сравнению с Ъ для больших длительностей, причем этот эффект проявляется сильнее с ростом величины анодного тока. [19]
Величины коэффициентов ал и а2 при изменении анодного тока могут меняться в зависимости от времени жизни носителей, степени легирования и геометрии структуры тиристора. Для повышения коэффициента запирания стремятся уменьшить ал за счет тщательного контроля эффективности анодного перехода. При этом изменение коэффициента инжекции данного перехода сильно зависит от плотности анодного тока из-за эффекта модуляции проводимости области широкой базы. [20]
Основным параметром, определяющим степень неодномерности запирания, является коэффициент запирания. Получение высоких значений коэффициента запирания ( порядка нескольких десятков) может существенно уменьшить неблагоприятное влияние неодномерных-процессов и расширить диапазон токов и напряжений запираемых тиристоров. Эта цель может быть достигнута за счет оптимизации конструкции р-п-р-я - структуры с точки зрения выбора профилей легирующих примесей, толщин базовых областей ( особенно узкой базы) и диффузионных длин неосновных носителей в них. [21]
 |
Зависимость коэффициента мя действия импульса. Типич-запирания А от тока / а при разных J. [22] |
Зависимость / С от напряжения изучена пока слабо. Можно лишь отметить, что, согласно экспериментальным данным, с ростом напряжения коэффициент запирания снижается, причем значение напряжения, при котором происходит снижение К, зависит от свойств структуры, в частности от градиента концентрации атомов примеси в коллекторном переходе и толщины узкой / 7-базы. Уменьшается с ростом напряжения и значение выключаемого тока ( см. гл. Такая зависимость от напряжения осложняет коммутацию тока в цепях с индуктивной нагрузкой, поскольку всплеск напряжения в цепи во время спада тока ухудшает условия для выключения. Поэтому на практике в мощных электрических цепях параллельно запираемому тиристору подсоединяется демпфирующая цепочка, например, из конденсатора, резистора и диода ( так называемый снаббер) [92] ( рис. 6 - 3), которая затягивает нарастание напряжения на тиристоре и, следовательно, снижает напряжение, при котором происходит спад анодного тока. [23]
Коэффициент m зависит от конструкции ячейки и плотности расположения слоев управляющей сетки. При обрыве в цепи катода рассматриваемого тиристора ток через структуру протекать не будет, а на управляющем электроде будет наводиться потенциал, равный отношению анодного напряжения к коэффициенту запирания гл. Указанные физические процессы положены в основу так называемого принципа катодного управления тиристором. [24]
 |
Температурная зависимость импульсного тока спрямления. [25] |
Изменение коэффициента Взап с температурой ( рис. 4.11 6) тоже определяется температурной зависимостью коэффициентов ап и ар. Таким образом, ток / спр должен измеряться при минимальной рабочей температуре, а также минимальных значениях прямого тока анода / прмин и прямого напряжения на аноде прмин - Коэффициент запирания Взап следует измерять при максимальной рабочей температуре, прямом напряжении на аноде t / прмакс и при двух значениях прямого тока анода: / прзап. [26]
Коэффициент запирания, таким образом, может иметь широкий диапазон значений. Максимальное значение К зависит от многих факторов, в частности от геометрических и электрофизических параметров слоев структуры, тока через структуру, ее температуры, анодного напряжения и др. С учетом вышесказанного рассмотрим в этой главе коэффициент запирания более детально, отметив при этом, что теоретические рассуждения касаются, в основном, максимальных значений К. [27]
Относительно перспектив развития мощных запираемых тиристоров можно заметить, что в недалеком будущем следует ожидать существенного улучшения основных параметров приборов. По имеющимся сведениям [111] уже в настоящее время некоторые зарубежные фирмы, в частности японская фирма Тосиба [75], имеют образцы мощного запираемого тиристора на напряжение 2500 В и ток 600 А. Получены также экспериментальные данные, свидетельствующие о возможности повышения коэффициента запирания К до значений 10 - 15 при высоком рабочем напряжении. [28]
С повышением температуры структуры времена жизни носителей заряда в базах возрастают, из-за этого увеличиваются ап и ар, а коэффициент К уменьшается. Это видно из рис. 5 - 8, где представлена зависимость / С / ( / а) для одного из образцов запираемых тиристоров, полученная при разных температурах. Из рисунка видно, что с ростом температуры падают и значение выключаемого тока, и коэффициент запирания. [29]
Значительно труднее по причинам, рассмотренным в гл. Поэтому на практике ограничиваются, в основном, лишь экспериментальным подбором соотношения толщин баз, их легирования и времен жизни носителей заряда. В качестве примера можно привести данные для запираемых тиристоров с напряжением переключения более 1000 В, остаточным напряжением 2 - 3 В и коэффициентом запирания 7 - 15: Wp - 25 - f - 30 мкм, Ц7 150 мкм, Тр 2 - - 3 икс, удельное сопротивление п-базы - 30 - 40 Ом - см. Расчет этих параметров для комбинированно-выключаемых тиристоров может быть произведен по методике, приведенной в [65] для обычных тиристоров. [30]
Страницы: 1 2 3