Cтраница 2
![]() |
Схема лавинного пробоя.| Зависимость коэффициентов ионизации от напряженности электрического поля для германия. [16] |
Чтобы охарактеризовать процесс ударной ионизации, вводят коэффициенты ионизации для электронов а и дырок р которые равны числу пар, образуемых на единице пути движения носителя. [17]
В физической литературе приняты следующие обозначения: а - коэффициент ионизации для электронов, ( 5 - коэффициент ионизации для дырок. [18]
По аналогии с пробоем в газах этот процесс характеризуется коэффициентами ионизации электронов а и дырок ( 3, равными числу электронно-дырочных пар, создаваемых носителем заряда на 1 см пути. Определение зависимостей коэффициентов ионизации от напряженности электрического поля, температуры и свойств кристалла представляет одну из основных физических проблем исследования процесса ударной ионизации. [19]
Таким образом, в соотношении, определяющем пробой, вместо коэффициентов ионизации теперь стоят функции от V, / и р, относящиеся к пробою. Рассматривая ( 26) как уравнение для определения пробивного напряжения I7, мы видим, что в случае плоских электродов пробивное напряжение зависит только от произведения расстояния между пластинами на давление. Этот закон был открыт эмпирически Пашеном. Он справедлив также для шаровых электродов, если радиусы шаров меняются в таком же масштабе, как и расстояния между ними. [20]
Особый интерес представляет тот факт, что в противоположность формуле (7.11) коэффициент ионизации имеет максимум. Наличия максимума следует ожидать на основании хода кривых относительной ионизации ( глава 3, § 4), которые также имеют максимум, лежащий для молекулярных и большинства атомных газов в пределах 80 - 150 за. В поле X электрон получает энергию около 100 as в конце среднего свободного пробега X, если XI. [21]
Однако уход возбужденных атомов на стенки разрядной трубки не влияет на величину коэффициента ступенчатой ионизации при выполнении более жесткого условия, а именно, если возбужденные атомы ионизуются скорее, чем уходят на стенки. [22]
Коэффициент пропорциональности между интенсивностью пика и парциальным давлением вещества в системе введения называется коэффициентом ионизации К. Для получения величины К прибор калибруется; возможно с некоторыми ограничениями использование при анализе табличных значений К. [23]
Для возникновения лавинного пробоя, как и в случае разряда в газе, решающим является коэффициент ионизации полупроводника as электронами и дырками. Он равен числу пар носителей заряда, которое образует электрон или дырка в запорном слое на 1 см своего пути. [24]
Коэффициент пропорциональности между величиной пика в спектре и парциальным давлением вещества в системе введения называется коэффициентом ионизации К. [25]
В физической литературе приняты следующие обозначения: а - коэффициент ионизации для электронов, ( 5 - коэффициент ионизации для дырок. [26]
Число пар носителей заряда, образующихся при ударной ионизации одним электроном на 1 см длины его пробега, называют коэффициентом ионизации Таунсенда а, 1 / см. Величина а зависит от давления газа р, от рода газа, именно от потенциала ионизации Hi, а также от напряженности поля Е в разрядном промежутке. [27]
Как видно, она пропорциональна объему ионизационной камеры, концентрации молекул газа ( иными словами - давлению газа) и коэффициенту ионизации. [28]
Таунсенда, определяющий число новых электронов, создаваемых первичным электроном при прохождении 1 см пути в направлении поля; f - второй коэффициент ионизации Таунсенда, равный числу электронов, выбиваемых из катода одним положительным ионом. Обращение знаменателя этого выражения в нуль соответствует пробою газового промежутка. [30]