Cтраница 4
Несколько большей чувствительностью обладает метод а-рассеяния. Наиболее высокой детектирующей способностью ( порядка 1010 am натрия) обладает метод МСВИ, поскольку для указанных элементов коэффициент ионизации равен единице. [46]
Прежде всего приводятся уравнение состояния и формула для внутренней энергии смеси газ - излучение в наиболее удобном для использования виде. Далее приведены аналитические формулы для коэффициентов ионизации и рекомбинации с целью проиллюстрировать их зависимость от температуры и таблица рассчитанных в последние годы коэффициентов ионизации и рекомбинации. Записаны основные соотношения теории переноса излучения в атмосферах звезд, даны асимптотические формулы и графики для определения коэффициента непрозрачности вещества звездных оболочек, описано строение оболочек звезд, в частности, гигантов и сверхгигантов. И, наконец, приведены уравнения газовой динамики в форме Эйлера и Лагранжа. [47]
Обозначим через Л / 0 число фотоэлектронов, выходящих с 1 см катода за 1 сек, и через N ( x) - число электронов, проходящих через площадку в 1 см 2, параллельную электродам, лежащую на расстоянии х от катода. На пути dx электрон производит zdx ионизации, где а - число ионизации, производимых электроном на пути в 1 см, пройденном в направлении поля; а называется коэффициентом ионизации электронными ударами или коэффициентом Таунсенда и зависит, очевидно, от рода газа, напряженности поля и давления. Коэффициент а играет важную роль в теории разряда. [48]
Xjp, экспоненциальный член в (7.20) мало изменяется при изменении d и отношение iji0 почти постоянно. Захват является не только важным процессом, который необходимо учитывать при пробое электроотрицательных газов и в задачах, связанных с верхними слоями атмосферы, но также и осложняющим фактором при измерении коэффициента ионизации при малых значениях Xjp. Если в качестве примесей присутствуют электроотрицательные газы, получаются заниженные значения а. При измерениях коэффициента рекомбинации наблюдается обратное явление. [49]
Переход электрона, приводящий к ионизации адсорбированного атома, может иметь место и на поверхности полупроводника, однако только при выполнении определенных условий. Если энергетический уровень валентного электрона адсорбированного атома попадает в одну из разрешенных зон полупроводника, то, как и в случае металла, возможен переход электрона. Коэффициент ионизации а в этом случае дается выражением, сходным с (2.45), но соответствующим образом модифицированным с учетом различия характеристик термоэлектронной эмиссии металлов и полупроводников. В этом случае изгиб энергетических зон вблизи поверхности полупроводника может существенно влиять на процесс ионизации. [50]
При напряженности поля Е Ю5 В / см в полупроводнике возникает ударная ионизация атомов носителями, движущимися в этом поле. Для характеристики процесса вводятся коэффициенты ионизации - число электронно-дырочных пар, создаваемых электроном ап и дыркой ар на единице длины. Коэффициент ионизации очень сильно зависит от напряженности поля ( рис. 9.3), например, увеличение поля в два-три раза может привести к росту коэффициента ионизации на пять порядков. Для кремния коэффициенты у электронов и дырок значительно различаются. [51]
Как мы видели, лавинное умножение имеет место в областях сильного электрического поля, где кинетическая энергия свободных носителей заряда достаточна для ионизации атомов кристаллической решетки. Коэффициент ионизации для электронов а определяют как среднее число ионизирующих столкновений на единичном расстоянии дрейфа электрона. Коэффициент ионизации дырок определяется аналогично. Вообще говоря, а и р имеют различные численные значения, но оба коэффициента сильно зависят от электрического поля. [52]
Если в качестве изоляции служат последовательно наложенные слои пропитанной бумаги или лакоткани, то пропиточное масло или компаунд для скольжения лент будут обладать значительно большей вязкостью при низких температурах, чем при рабочих. Пустоты, имеющиеся в изоляции при низких температурах, могут исчезнуть при повышенной температуре. Следовательно, коэффициенты ионизации, измеренные при низких температурах, становятся менее опасными при высоких температурах, и для величин, измеренных при температурах ниже 25 С, обычно вносится отрицательная поправка. Таким образом, в случае кабелей с бумажной изоляцией 2 % отнимается от наблюдаемой величины ( при температуре ниже 25 С) на каждый градус разницы. [53]