Cтраница 1
Коэффициент токораспределения в режиме прямого перехвата практически не зависит от катодного тока, поэтому при изменении напряжения управляющей сетки токи анода и экранирующей сетки составляют определенную постоянную долю от тока катода. [1]
![]() |
Приведение триода к эквивалентному диоду it. - i n. [2] |
Коэффициент токораспределения зависит от отношения ua / ng и конструкции сетки. Например, чем гуще сетка, тем меньше / ст, так как более густая сетка перехватывает больше электронов. Если иа 0, то ujug 0 и / ст имеет наименьшее значение, близкое к нулю, так как существует лишь небольшой анодный ток за счет начальной скорости электронов. При увеличении ua / ufl сначала / ст резко возрастает, что соответствует режиму возврата ( область /), а при переходе в режим перехвата ( область / /) растет медленно, приближаясь к единице. [3]
![]() |
Кривые изменения составляющих тока и напряжения, тока.| Схема сети [ IMAGE ] Схема для определения коэф. [4] |
Коэффициенты токораспределения определим, приняв положительные направления токов ветвей ( рис. 1.14) и задавая последовательно в каждом из узлов ( кроме балансирующего) единичные токи. [5]
Коэффициенты токораспределения найдем, задавая поочередно в узлах 1 и 2 единичный ток ( рис. 7.13, а и б) и рассматривая его распределение по ветвям а и b схемы. [6]
Коэффициент токораспределения должен также учитываться при отстройке защит от к. [7]
Поскольку коэффициент токораспределения остался при этом прежним, то анодный ток / а и ток экранирующей сетки / с2 тоже изменятся в m раз. [8]
Определим коэффициенты токораспределения в ответвлениях. [9]
Обозначим коэффициент токораспределения в два включенных транзистора Ai / z / i / / o, где / о - общий входной ток, протекающий по базовому резистору; А - максимальный ток в одном из включенных выходных транзисторов. [10]
Увеличение коэффициента токораспределения / Ст в режиме перехвата объясняется двумя причинами, одна из которых заключается в том, что с ростом UA эффективность перехвата экранирующей сеткой электронов снижается, а другая связана с уменьшением потенциального барьера вблизи катода при увеличении UA и катодного тока. Влияние второй причины незначительно и возможно лишь у низкочастотных пентодов, в которых экранирующая и защитные сетки имеют большую проницаемость. [11]
Выбор значения коэффициента токораспределения зависит от заданных величин анодного и экранного напряжений, крутизны и проходной емкости и производится по аналогии с известными типами ламп. [12]
Выбрав значение коэффициента токораспределения, можно по уравнению анодного тока найти величину G, определяемую размерами первой сетки и катода. [13]
![]() |
Вариант а б в г д. [14] |
Zy zye 1 и коэффициент токораспределения kT k1e f, a удлинение зоны должно быть исключено. Характеристика должна быть круговой или прямолинейной. Других ограничений на нее не накладывается. [15]