Коэффициент - токораспределение
Cтраница 2
КЗ 1К тах и расчета коэффициентов токораспределения как отношения тока КЗ, протекающего на данной стороне, к току на той стороне, где рассматривается КЗ; 0 5 Z / м расчп - полусумма первичных токов, протекающих на сторонах AT при расчетном внешнем КЗ без учета тока нагрузки; остальные величины - см. выше. [16]
С увеличением i / A возрастает коэффициент токораспределения ( см. рис. 10.5), а следовательно, уменьшается ток второй сетки. Относительное изменение токов / С2 и / А на всех участках характеристик одинаково, хотя абсолютные приращения токов растут с увеличением f / сь поэтому характеристики расходятся веерообразно. [17]
На рис. 3.11 показано графическое определение коэффициента токораспределения в два включенных выходных транзистора; 1 и 2 - суммарные граничные характеристики последовательно соединенных диода и транзистора. Наклон прямой 3 определяется сопротивлением входного базового резистора в элементе ДТЛ. [18]
А / а / / с называется коэффициентом токораспределения. [19]
 |
Примеры конструкций внутриламповых экранов. [20] |
Необходимость применения густых экранирующих сеток приводит к уменьшению коэффициента токораспределения у высокочастотных ламп. [21]
Из уравнения (1.56) видно, что выражения для коэффициентов токораспределения имеют тот же вид, что и полученные ранее. [22]
При внешнем коротком замыкании со стороны одной из подстанций коэффициенты токораспределения для двух других подстанций ( отношение тока данной подстанции к току той подстанции, со стороны которой произошло короткое замыкание) изменяются в пределах, указанных в табл. 6.3. Отключение выключателей со стороны подстанции L или М не учитывается как редкое. [23]
Для определения гармоник тока по всех ветвях схемы определяются коэффициенты токораспределения Kqv для всех ветвей. [24]
При сравнении выражения ( 8 - 7) для коэффициента токораспределения в режиме прямого перехвата с уравнением ( 8 - 10), определяющим коэффициент токораспределения в режиме возврата, видно, что с увеличением анодного напряжения коэффициент токораспределения и, следовательно, анодный ток растут значительно быстрее в режиме возврата, чем в режиме прямого перехвата. [25]
Быстрый рост анодного тока на первом участке определяется быстрым ростом коэффициента токораспределения при увеличении анодного напряжения в режиме возврата. На этом участке вторичная эмиссия с анода мала, так как энергия электронов, приходящих на анод при малом анодном напряжении, недостаточна для появления заметной вторичной эмиссии. [26]
При выборе вторых ступеней токовых и дистанционных1 защит учитываются режимы, когда коэффициент токораспределения ( отношение тока участка сети с рассматриваемой защитой к току смежного участка, с защитой которого производится согласование) максимален. [27]
Необходимо, однако, отметить большое влияние на их работу гп, коэффициентов токораспределения при замыканиях через г, и сложность выполнения. [28]
Из соотношения ( 10 - 26) видно, что для повышения коэффициента токораспределения при постоянной проницаемости второй сетки следует уменьшать шаг второй сетки, что влечет за собой одновременное уменьшение диаметра проволоки витков сетки. [29]
При каком соотношении между сопротивлением защищаемой зоны Zy zye / 1 и коэффициентом токораспределения kfkTeW задача 4.68 решается в пользу расположения центра окружности на оси R. [30]
Страницы: 1 2 3 4