Cтраница 3
Прежде всего выберем сопротивление в цепи коллектора, для этого необходимо задаться коэффициентом токораспределения в коллекторной цепи. [31]
![]() |
Полное выражение коэффициента усиления ДУ, приведенного на. [32] |
АГ - коэффициент прямой передачи сигнала; у у6, у, - коэффициенты токораспределения в, соответствующих цепях ДУ. [33]
![]() |
Принципиальная схема рабочей программы. [34] |
Требуется найти токи в ветвях а, Ь, с, d, используя коэффициенты токораспределения. [35]
![]() |
Возможные значения коэффициента трансформации АТТ типа АТ-32. [36] |
Сн - относительное значение половины суммарного диапазона регулирования напряжения на стороне СН; кТокСц - коэффициент токораспределения для стороны СН, определяемый в том же расчетном режиме, что торм. [37]
При выборе геометрии пространства вторая сетка - анод у низкочастотных пентодов основное внимание уделяется повышению коэффициента токораспределения и получению более резкого перехода у анодной характеристики. [38]
Очевидно, что расстояние между второй и третьей сетками может быть подсчитано по формуле для коэффициента токораспределения, если выбраны шаг и диаметр проволоки витков обеих сеток. Зная расстояние анод - третья сетка, которое обычно берется несколько большим половины шага сетки, можно определить проницаемость третьей сетки и, следовательно, действующий в плоскости третьей сетки потенциал. [39]
Следовательно, в тетродах и пентодах крутизна в большой степени зависит от токораспределения, причем чем больше коэффициент токораспределения, тем большую крутизну можно получить при прочих равных условиях. Поэтому при конструировании тетродов и пентодов следует стремиться к снижению тока второй сетки. [40]
Кн гк) - постоянная времени цепи коллектора; УЭ ГБ / ( ГБ КГ ГЭ) - коэффициент токораспределения в цепи эмиттера. [41]
Отсюда следует, что коэффициент усиления по мощности тем больше, чем выше статический коэффициент усиления ц, и коэффициент токораспределения. [42]
Анодное напряжение влияет на величину анодного тока как за счет незначительного изменения действующего напряжения, так и за счет изменения коэффициента токораспределения. Поэтому внутреннее сопротивление как бы слагается из двух соединенных параллельно составляющих. [43]
Теперь поочередно рассмотрим переходные процессы в этих двух ступенях, пренебрегая процессами переноса и рекомбинации носителей заряда в базе транзистора и принимая коэффициенты токораспределения в коллекторных цепях транзисторов равными единице. [44]
При сравнении выражения ( 8 - 7) для коэффициента токораспределения в режиме прямого перехвата с уравнением ( 8 - 10), определяющим коэффициент токораспределения в режиме возврата, видно, что с увеличением анодного напряжения коэффициент токораспределения и, следовательно, анодный ток растут значительно быстрее в режиме возврата, чем в режиме прямого перехвата. [45]