Cтраница 1
Коэффициент вторичной эмиссии показывает, сколько вторичных электронов в среднем выбивает один первичный электрон. [1]
Коэффициент вторичной эмиссии зависит от величины энергии первичных электронов, типа атода и состояния его поверхности. При увеличении энергии первичных электронов 0 сначала растет, а затем падает. Уменьшение о объясняется тем, что при больших энергиях первичные электроны проникают на большие глубины, откуда мала вероятность выхода вторичных электронов. Явление вторичной электронной эмиссии используется в ионных приборах. [2]
![]() |
Типичные кривые зависимости коэффициента вторичной эмиссии от энергии первичных электронов. [3] |
Коэффициент вторичной эмиссии определяется энергией первичных электронов, плотностью вещества, углом падения потока первичных электронов, а при малых энергиях первичных электронов также состоянием поверхности. [4]
Коэффициент вторичной эмиссии 8 зависит от того угла, под которым первичные электроны попадают на поверхность металла. Чем больше этот угол а, отсчитываемый от нормали к поверхности, тем больше и коэффициент о вплоть до угла в 70, на котором обрываются имеющиеся в литературе экспериментальные данные. Это обстоятельство также объясняется тем, что первичные электроны проникают в металл довольно глубоко, пока они не растратят весь избыточный запас энергии, по сравнению со средней энергией электронов проводимости металла. [5]
Коэффициент вторичной эмиссии у зависит от кинетической энергии ионов и увеличивается с ее ростом. [6]
Коэффициент вторичной эмиссии для металлов обычно не превышает единицы даже при энергиях первичных электронов порядка 500 - 1000 эл. [7]
Коэффициент вторичной эмиссии возрастает с увеличением угла падения первичных электронов. При косом падении под углом около 80 с возрастает почти в 2 раза по сравнению с нормальным падением. [8]
Коэффициент вторичной эмиссии для металлов обычно не превышает единицы даже при энергиях первичных электронов порядка 500 - 1000 эл. [9]
Коэффициент вторичной эмиссии возрастает с увеличением угла падения первичных электронов. При косом падении под углом около 80 с возрастает почти в 2 раза по сравнению с нормальным падением. [10]
![]() |
Распределение по энергиям эмиттирован-ных электронов из слоев КС1 разных толщин. [11] |
Коэффициенты вторичной эмиссии достигают у таких пленок больших значений ( 60 - 80); при вполне определенных условиях наступает даже пробой окисла магния. [12]
Коэффициент вторичной эмиссии у этой поверхности в статических условиях экспоненциально возрастает с увеличением электрического поля, приложенного между эмиттером и коллектором. Автор дает объяснение наблюденной им аномальной эмиссии для случая окиси магния, отличающееся от теории Молтера ( см. § 9, стр. [13]
Коэффициент вторичной эмиссии зависит от энергии первичных электронов, типа катода и состояния его поверхности. При увеличении энергии первичных электронов а сначала растет, а затем падает. Уменьшение о объясняется тем, что при больших энергиях первичные электроны проникают на большие глубины, откуда мала вероятность выхода вторичных электронов. Явление вторичной электронной эмиссии используется в ионных приборах. [14]
Коэффициент вторичной эмиссии зависит от величины энергии первичных электронов, типа атода и состояния его поверхности. При увеличении энергии первичных электронов 0 сначала растет, а затем падает. Уменьшение о объясняется тем, что при больших энергиях первичные электроны проникают на большие глубины, откуда мала вероятность выхода вторичных электронов. Явление вторичной электронной эмиссии используется в ионных приборах. [15]