Коэффициент - вторичная эмиссия
Cтраница 3
Снижение коэффициента вторичной эмиссии возможно также посредством мелкодисперсного порошка циркония ( циркониевой черни), который удобно наносить в виде гидрида циркония с последующим восстановлением его путем прокаливания. [31]
Уменьшение коэффициента вторичной эмиссии практически трудно выполнимо, так как фоточувствительная поверхность с малой работой выхода обычно является хорошим вторичным эмиттером. Уменьшение эффекта черного пятна осуществляется введением в телевизионный канал искусственно генерируемого сигнала-противоположной полярности. [32]
Уменьшение коэффициента вторичной эмиссии практически трудно выполнимо, так как фоточувствительная поверхность с малой работой выхода обычно является хорошим вторичным эмиттером. Уменьшение эффекта черного пятна осуществляется введением в телевизионный канал искусственно генерируемого сигнала противоположной полярности. [33]
 |
Спектральная характеристика среднего чело, веч-еского глаза. [34] |
При коэффициенте вторичной эмиссии, равном единице, потенциальный рельеф не образуется. Эффективное увеличение чувствительности равно коэффициенту вторичной эмиссии минус единица. [35]
В металлах коэффициент вторичной эмиссии почти не зависит от температуры. В полупроводниках же эта зависимость резко выражена как вследствие возрастания числа свободных электронов, которые, взаимодействуя с быстрым электроном, получают от него энергию, позволяющую им затем выйти из полупроводника, так и по более тривиальной причине: повышенная электропроводность снижает тот потенциал, который образуется на поверхности полупроводника под влиянием бомбардировки быстрыми электронами. [36]
В полупроводниках коэффициент вторичной эмиссии экспоненциально растет с температурой. [37]
В металлах коэффициент вторичной эмиссии почти не зависит от температуры. В полупроводниках же эта зависимость резко выражена как вследствие возрастания числа свободных электронов, которые, взаимодействуя с быстрым электроном, получают от него энергию, позволяющую им затем выйти из полупроводника, так и по более тривиальной причине: повышенная электропроводность снижает тот потенциал, который образуется на поверхности полупроводника под влиянием бомбардировки быстрыми электронами. [38]
 |
Фотоумножитель системы Л. А. Кубецкого. [39] |
В полупроводниках коэффициент вторичной эмиссии экспоненциально растет с температурой. [40]
 |
Фотоэлектронная работа выхода для. [41] |
В диэлектриках коэффициент вторичной эмиссии достигает больших значений: Пмакс2н - 20 при б акс 500 - f - 2500 ЭВ. [42]
При этом коэффициент вторичной эмиссии мишени больше единицы и, следовательно, под действием электронной бомбардировки ее потенциал со стороны коммутирующего луча устанавливается примерно равным потенциалу второго анода, а не катода. [43]
От величины коэффициента вторичной эмиссии зависит потенциал экрана. На поверхности экрана скапливаются электроны, и его потенциал при любых ускоряющих напряжениях в интервале О - U a2 стремится к потенциалу катода, принятому за нуль, и свечение прекращается. Этот потенциал называют первым критическим потенциалом. [44]
 |
Входная цепь лампы с эквивалентными источниками шумов.| Четырехполюсник, эквивалентный электронной лампе. [45] |
Страницы: 1 2 3 4