Cтраница 2
Коэффициент вторичной эмиссии изоляторов, так же как и проводящих поверхностей, зависит от энергии ( скорости) первичных электронов. На рис. 19 - 34 изображен примерный график зависимости коэффициента вторичной эмиссии изолятора от ускоряющего напряжения, определяющего энергию первичных электронов. [16]
Коэффициент вторичной эмиссии графита зависит от энергии первичных электронов. [17]
Коэффициент вторичной эмиссии динодов определяется работой, которую должны совершить частицы, чтобы вылететь из вещества динодов. Коэффициент собирания электронов представляет собой отношение числа электронов, поступающих на данный динод, к числу электронов, покидающих предшествующий динод, и зависит от взаимного расположения динодов и частично от ориентировки оси динода по отношению к вектору магнитного поля Земли. [18]
Коэффициент вторичной эмиссии сурьмяно-цезиевого эмигтера зависит от толщины полупроводникового слоя, возрастая с увеличением толщины примерно до 40 нм и затем снова снижаясь. [19]
Коэффициент вторичной эмиссии динодов I-III составляет 5, начальная скорость вторичных электронов соответствует энергии 9 эв. На аноде ( А) вторичная эмиссия не возникает. [20]
Коэффициентом вторичной эмиссии называется отношение количества вторичных электронов, выходящих из металла под действием электронной бомбардировки, к числу первичных электронов, попадающих на металл. [21]
![]() |
Характеристики высокочастотного пентода 6К4. - - - - - - - - - - - - - анодные. - - - - - - - - - - - - - - - - - экранно-анодные. [22] |
Коэффициентом вторичной эмиссии называется отношение количества вторичных электронов, выходящих из металла под действием электронной бомбардировки к числу первичных электронов, попадающих на металл. [23]
Ер коэффициент вторичной эмиссии в начальный момент больше единицы, то внешние слои диэлектрика будут терять электроны; при этом образуется избыточный положительный заряд, притягивающий обратно часть эмитированных электронов. [24]
Если коэффициент вторичной эмиссии экрана при каком-либо значении ускоряющего напряжения не равен единице, то на экране будет происходить накопление зарядов до тех пор, пока его потенциал не станет таким, что скорость приходящих на него электронов либо будет соответствовать а - 1, либо станет равной нулю. [25]
![]() |
Характеристики тетрода для токов анода, экранирующей сетки и катода. [26] |
Если коэффициент вторичной эмиссии анода больше единицы, то ток i, может превысить ток ia / и анодный ток станет отрицательным. [27]
Величина коэффициента вторичной эмиссии зависит также от скорости первичных электронов. При больших скоростях первичные электроны глубоко проникают в толщу металла, и поэтому вторичные электроны не могут вылететь из него, так как на своем пути к поверхности они теряют энергию при столкновении с другими электронами. [28]
Величина коэффициента вторичной эмиссии зависит от свойств эмиттера, а также от скорости и направления первичных электронов. [29]
![]() |
Влияние напыления с оксидного катода на вторичную эмиссию различных поверхностей. [30] |